Vishay發布其E系列器件的首顆500 V高壓MOSFET

日前，Vishay Intertechnology,Inc.宣布，推出新的500 V家族里首款MOSFET---SiHx25N50E，該器件具有與該公司600 V和650V E系列器件相同的低導通電阻和低開關損耗優點。新器件的低導通電阻和柵極電荷在高功率、高性能的消費類產品、照明應用和ATX/桌面PC機開關電源（SMPS）里將起到節能的重要作用。

Vishay Siliconix SiHx25N50E 500 V MOSFET使用第二代超級結技術，為采用高性能平面技術的Vishay現有500V D系列器件補充了高效率產品。這些25 A器件的導通電阻為145 mΩ，提供TO-220(SiHP25N50E)、TO-247AC(SiHG25N50E)和細引線的TO-220 FULLPAK（SiHA25N50E）等多種封裝選項，這些低外形封裝適用于薄型消費類產品。

新的MOSFET具有57nC的超低柵極電荷，柵極電荷與到導通電阻乘積也較低，該參數是功率轉換應用里MOSFET的優值系數（FOM）。與Vishay的600 V和650 V E系列器件類似，500 V技術具有低導通電阻和優化的開關速度，能夠提高功率因數校正（PFC）、雙開關正激轉換器和反激轉換器應用里的效率和功率密度，器件符合RoHS，可承受雪崩和開關模式里的高能脈沖，保證極限值通過100%UIS測試。