
夏普的IGZO(indium gallium zinc oxide)可以說是顯示技術的飛躍。今天,通過IGZO面板我們可以獲得一個極高分辨率和極佳色彩表現的銳利圖像,并且能耗大幅降低。這其中最重要的創新正是這個神秘縮寫IGZO背后的含義,它是一種新型薄膜晶體管(TFT)內部的元素:銦鎵鋅氧化物。傳統的TFT顯示技術無論是像素密度還是分辨率都已經發展至極限,為此,夏普開發出了這種新技術。目前,采用IGZO的顯示屏已經用在一些設備上:夏普SH-06E智能手機,分辨率高達1920×1080像素,像素密度為460ppi(每英寸像素);臺灣制造商BungBungame的Kalos平板電腦,分辨率更是高達2560×1600像素;富士通Lifebook UH90,分辨率破紀錄地達到了3200×1800像素;此外,IGZO也被用在4K分辨率(3840×2160)的顯示器和電視機上,例如華碩PQ321QE。
這項新技術的優點是顯而易見的,以常見的蘋果平板電腦為例,如果我們用iPad mini(1024×768)和iPad 4(2048×1536)打開同一個網站,放大查看時iPad mini的文字會很模糊,而采用視網膜(Retina)屏的iPad 4,其文字的顯示效果依然會很銳利。雖然iPad 4使用的并不是IGZO技術,而是其競爭對手的LTPS(低溫多晶硅)技術,但是兩者都同樣是用于高解析度屏幕的技術,并且相比之下,IGZO的能耗更小。很明顯,iPad mini顯示屏所采用的傳統非晶硅TFT顯示技術已經落后。下面,我們將進一步分析IGZO的技術細節。
每個像素3個晶體管
TFT顯示屏的每一個像素都由3個子像素混合,因而,每個像素需要3個晶體管,每一個子像素對應一個薄膜晶體管,通過紅色、綠色和藍色的彩色濾光片呈現出不同的色彩。薄膜晶體管位于背光系統的前方,用于驅動液晶層運動。液晶可以通過結構的改變,控制每一個像素點可以通過的背光量。由于薄膜晶體管并不是完全透明的,因而,它們將需要隨著像素密度的增加而縮小,以保持顯示屏的通光量。然而,它們不可能無止境地縮小,因為縮小將會導致晶體管的漏電流增加,能耗增大。
傳統薄膜晶體管所使用的材料與CPU所使用的晶體管不同,薄膜晶體管的材料是不結晶的非晶硅,硅原子處于無序排列的狀態。從大規模生產的角度考慮,價格低廉的非晶硅是理想的選擇,然而,相對于晶體硅,非晶硅的電子遷移率急劇降低。不過,對于目前的顯示分辨率來說,這并不是最大的問題,畢竟,薄膜晶體管并不涉及什么計算任務,只是簡單地切換開關狀態,在60Hz刷新頻率下,大約每16ms切換一次。
切換晶體管開關狀態時,將在柵極施加電壓時打開溝道,讓電子可以從源極流到漏極。但由非晶硅制成的晶體管,由于硅的電子遷移率較低,所以將需要比較高的電壓來打開溝道。而如果采用IGZO作為溝道材料,即使在很低的電壓下也能夠打開,因為IGZO的電子遷移率比非晶硅要高50倍。另外,多晶硅也可以實現類似的效果,因為其有序的原子結構可以比IGZO擁有更高的電子遷移率。
IGZO像素密度之高無可匹敵
不過,多晶硅無法撼動IGZO的地位,因為多晶硅面臨一個巨大的問題,那就是當像素密度高于400ppi時,晶體管需要進一步縮小尺寸。而越小的晶體管,通常意味著越高的漏電流。所謂漏電流,也就是在晶體管關閉的情況下,電子仍然可以流動,這將產生不必要的功耗。其次,漏電流將使晶體管出現意外的操作,導致顯示屏圖像內容顯示異常。而在一個用IGZO作為溝道材料的晶體管中,關閉時幾乎沒有漏電流,因而,IGZO顯示屏的功耗更低,晶體管的尺寸可以做得更小,像素密度可以更高。
IGZO顯示屏在顯示靜態畫面時,只需要極低的屏幕刷新率,傳統液晶需要60Hz的刷新率以保證畫面的穩定,而根據夏普的介紹,IGZO顯示屏可以降低到25Hz。同時,IGZO顯示屏處理觸控輸入會更精確,這是因為傳統的顯示屏在刷新時產生的電流對觸控信號的干擾更多。不過,盡管有這些優勢,IGZO顯示屏何時才能夠真正進入大眾市場仍是個未知數。目前,夏普的IGZO顯示器只用于利基產品,三星和LG等其他廠商仍然在使用昂貴的LTPS技術。有傳言,蘋果公司將在2013年年底或2014年開始為產品配備IGZO顯示屏,如果傳言屬實,那么IGZO技術將得到提振,這種新的薄膜晶體管材料漏電流較低,可以有效地延長iPhone和iPad的續航時間。