摘 要:為了有效的對(duì)電子設(shè)備和信息系統(tǒng)進(jìn)行保護(hù),確保信息安全,電磁屏蔽機(jī)柜得到了廣泛的應(yīng)用。就其屏蔽方法而言,這涉及到多個(gè)方面的內(nèi)容。文章采用較符合高功率結(jié)構(gòu)機(jī)柜需求的主動(dòng)式整體性金屬屏蔽方法和被動(dòng)式非整體性金屬網(wǎng)方法,借助數(shù)值方法的模擬,找出適合中短波段的屏蔽效率與相關(guān)設(shè)計(jì)參數(shù)關(guān)系。
關(guān)鍵詞:機(jī)構(gòu)機(jī)柜;電磁屏蔽;方法
1 整體性金屬板屏蔽效率模擬與分析
1.1 吸收損失
在高功率結(jié)構(gòu)機(jī)柜使用的短波段范圍之中,使用不同導(dǎo)電系數(shù)作屏蔽材料,其模擬出的吸收損失數(shù)值有很大的差異。使用導(dǎo)電系數(shù)較高的屏蔽材料,其吸收損失較大。同時(shí),當(dāng)頻率越高時(shí),吸收損失會(huì)越大。由于屏蔽效率大部分由吸收損失所貢獻(xiàn),因此,頻率越高選擇導(dǎo)電系數(shù)越大的屏蔽體,其吸收損失越大,使得屏蔽的效果會(huì)更好。就不同導(dǎo)磁系數(shù)時(shí)的吸收損失而言,導(dǎo)磁系數(shù)越高,吸收損失越大。當(dāng)頻率越高時(shí)選擇導(dǎo)磁系數(shù)越大的屏蔽體時(shí),在暫不考慮反射損失的情況下,屏蔽效果會(huì)更好。就不同屏蔽體厚度與吸收損失的相對(duì)關(guān)系而言,在相同的屏蔽材料基準(zhǔn)下,屏蔽體厚度越大其吸收損失也越大,特別是高頻部分的變化更為明顯。
1.2 反射損失
電磁波阻抗的大小通常可以用來判別電性感應(yīng)場(chǎng)或磁性感應(yīng)場(chǎng)的特性。當(dāng)電磁波阻抗為377Ω時(shí),可看出反射損失大小的一個(gè)明顯轉(zhuǎn)折。當(dāng)阻抗遠(yuǎn)小于377Ω時(shí),是屬于高電流低電壓的磁性感應(yīng)場(chǎng),其屏蔽體的反射損失很小,也即電磁波可能大部分被屏蔽體吸附或穿透。當(dāng)阻抗遠(yuǎn)大于377Ω時(shí),則屬于高電壓低電流的電性感應(yīng)場(chǎng),經(jīng)由屏蔽體反射的量會(huì)較大。通過模擬實(shí)驗(yàn)觀察,電磁波阻抗越大,反射損失越大;電磁波阻抗越小,反射損失越小。就不同導(dǎo)電系數(shù)時(shí)的反射損失而言,頻率越高,屏蔽體的反射損失越小。對(duì)屏蔽體而言,當(dāng)頻率較高時(shí),電磁波可能被其所吸附或穿透,換言之,也符合頻率較高,對(duì)屏蔽體的穿透率越高的特性。若直接由實(shí)驗(yàn)觀察,導(dǎo)電系數(shù)越高,屏蔽體的反射損失越大。當(dāng)頻率越高而導(dǎo)電系數(shù)越小時(shí),其反射損失會(huì)較小,也即在暫不考慮吸收損失的情況下,屏蔽效果會(huì)較差。另一方面,中波波段的反射損失是大于短波波段的,也符合中波比短波有較好的電波反射效果的特性。就不同導(dǎo)磁系數(shù)時(shí)的反射損失而言,導(dǎo)磁系數(shù)越高,屏蔽體的反射損失越小。在頻率較低(也即中波波段)且導(dǎo)磁系數(shù)較小時(shí),其反射損失反而較大,也即,暫不考慮吸收損失的情況下,其屏蔽效果會(huì)較好。
1.3 多重反射修正因數(shù)
就不同屏蔽體厚度時(shí)多重反射修正因數(shù)的變化情況而言,在使用相同屏蔽材質(zhì)的基礎(chǔ)下,當(dāng)屏蔽體厚度越小時(shí),多重反射修正因數(shù)的修正值(負(fù)的值)會(huì)越大。在高頻波段,若采用厚度較大的屏蔽板,其多重反射修正因數(shù)是可以忽略的,也即在短波段作屏蔽效率計(jì)算時(shí),可以不用考慮多重反射修正因數(shù)項(xiàng)。就使用0.05mm的銅作為屏蔽材料的情況下,以頻率和導(dǎo)電系數(shù)作為變量時(shí),多重反射修正因數(shù)變化狀況。采用導(dǎo)電系數(shù)較低的屏蔽體,比采用導(dǎo)電系數(shù)較高的屏蔽體,更需要去修正屏蔽效率的值,特別是在較為低頻的波段,但仍須視屏蔽體厚度來決定。就使用0.05mm的銅作為屏蔽材料的情況下,為不同導(dǎo)磁系數(shù)時(shí)多重反射修正因數(shù)變化狀況。其與導(dǎo)電系數(shù)情況相同,采用導(dǎo)磁系數(shù)較低的屏蔽體,比采用導(dǎo)磁系數(shù)較高的屏蔽體,更需要去修正屏蔽效率的值,特別是在較為低頻的波段,但同樣的須視屏蔽體厚度來決定。
1.4 總屏蔽效率
當(dāng)使用銅作為屏蔽材料時(shí),以頻率及屏蔽體厚度作變量時(shí)的屏蔽效率變化狀況。當(dāng)屏蔽體厚度越大,整體屏蔽效果較好,尤其頻率越高變化越明顯。當(dāng)選用不同導(dǎo)電系數(shù)作為屏蔽材料時(shí),頻率較高且導(dǎo)電系數(shù)較大時(shí),屏蔽效果越好。就不同導(dǎo)磁系數(shù),頻率較高且導(dǎo)磁系數(shù)較大,屏蔽效果越高。這一結(jié)果似乎與頻率較高且導(dǎo)磁系數(shù)較大時(shí),其反射損失反而較小相互抵觸。其主要原因?yàn)椋阂哉w的屏蔽效率而言,反射損失項(xiàng)是相對(duì)小于吸收損失項(xiàng)的數(shù)值,而呈現(xiàn)頻率較高且導(dǎo)磁系數(shù)較大,屏蔽效果越好的結(jié)果。就中短波廣播波段的屏蔽效率曲線而言,其總量是由吸收損失、反射損失和多重反射修正因數(shù)所加總的結(jié)果。
2 非整體性金屬網(wǎng)屏蔽效率模擬與分析
2.1 金屬網(wǎng)的吸收損失
在圓形開口直徑或方形垂直電場(chǎng)邊寬度固定下,若開口深度較深,則吸收損失較大,也即屏蔽效果較好。而圓形金屬網(wǎng)比方形金屬網(wǎng)有較好的吸收損失。就圓形金屬網(wǎng)不同開口深度和不同開口直徑與吸收損失的關(guān)系而言,若開口直徑較小且開口深度較深,則吸收損失較大。相對(duì)的,若開口直徑較大且開口深度較淺,則吸收損失甚小,屏蔽效果會(huì)不好。就方形金屬網(wǎng)不同開口深度、垂直電場(chǎng)邊寬度與吸收損失三者相互間的關(guān)系而言,若垂直電場(chǎng)邊寬度較小,且開口深度較深,則吸收損失較大。若垂直電場(chǎng)邊寬度較大,且開口深度較淺,則吸收損失會(huì)較小,屏蔽效果會(huì)不好。整體而言,圓形開口金屬網(wǎng)比方形開口金屬網(wǎng)有較好的反射損失,也即以反射損失項(xiàng)而言,圓形開口金屬網(wǎng)的屏蔽效果比方形開口金屬網(wǎng)稍好。
2.2 金屬網(wǎng)的反射損失
若圓形開口直徑或方形垂直電場(chǎng)邊寬度固定,其能產(chǎn)生源與屏蔽體間的距離(或屏蔽體厚度)較大,則反射損失較大。而圓形開口金屬網(wǎng)較方形開口金屬網(wǎng)有較好的反射損失。在入射波阻抗<377Ω(磁場(chǎng))的情況下,圓形與方形開口金屬網(wǎng)在不同的開口直徑或不同的垂直電場(chǎng)邊寬度、以及不同的屏蔽體厚度時(shí),與反射損失三者的關(guān)系。若圓形開口的直徑或方形開口的垂直電場(chǎng)邊寬度較小,且能產(chǎn)生源與屏蔽體間的距離(或屏蔽體厚度)較大時(shí),其反射損失較大。當(dāng)圓形與方形開口金屬網(wǎng)在入射波阻抗=377Ω(平面波)時(shí),就其直徑或垂直電場(chǎng)邊寬度與反射損失的關(guān)系而言,圓形開口金屬網(wǎng)的直徑或方形金屬網(wǎng)的垂直電場(chǎng)邊寬度較大,其反射損失較小,兩者成反比率的關(guān)系。圓形開口金屬網(wǎng)比方形開口金屬網(wǎng)有較好的反射損失,也即在非整體性金屬網(wǎng)屏蔽效率的反射損失項(xiàng)而言,圓形開口的屏蔽效果比方形開口金屬網(wǎng)稍好。就中波波段不同金屬網(wǎng)開口尺寸與反射損失的關(guān)系而言,當(dāng)頻率較低且開口尺寸較小時(shí),其反射損失較大。因此,在金屬網(wǎng)屏蔽上,中波波段因反射損失較大,整體屏蔽效果優(yōu)于短波段。
3 結(jié)束語
經(jīng)過模擬分析結(jié)果:在主動(dòng)式的整體性金屬屏蔽板方面,短波波段采取屏蔽措施,其效果優(yōu)于中波以下較為低頻部分。頻率越高、屏蔽體厚度越大,屏蔽效果會(huì)較好。在中波波段應(yīng)選擇導(dǎo)電系數(shù)較大且導(dǎo)磁系數(shù)較小者做為屏蔽材料,才會(huì)有較好的屏蔽效果。而在短波波段應(yīng)選擇導(dǎo)電系數(shù)和導(dǎo)磁系數(shù)較大者做為屏蔽材料,其屏蔽效率會(huì)較好。另一方面,短波的高頻波段采用較大厚度的屏蔽體時(shí),其多重反射修正因數(shù)是可以忽略的;但中波波段且屏蔽體厚度較薄時(shí)則應(yīng)予以考慮。在被動(dòng)式的整體性金屬屏蔽板方面,非整體性金屬屏蔽網(wǎng)的屏蔽效果,也與其開口數(shù)目、開口直徑(或?qū)挾龋┮约伴_口深度有直接的關(guān)系。而在實(shí)際的應(yīng)用上,屏蔽效能的好壞取決于屏蔽物的開口。若屏蔽物的開口很密,且深度比開口寬度或直徑小時(shí),其屏蔽效果較好。依據(jù)模擬結(jié)果分析:在非整體性金屬網(wǎng)屏蔽方式上,圓形開口的屏蔽效率是優(yōu)于方形開口。中波波段因反射損失較大,非整體性屏蔽體的屏蔽效果是優(yōu)于短波波段的。
參考文獻(xiàn)
[1]劉雅蓮.電磁屏蔽技術(shù)在艦載電子設(shè)備中的應(yīng)用[J].聲學(xué)與電子工程,2000(2).
[2]王連坡,茅文深.電磁屏蔽技術(shù)在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中的應(yīng)用[J].艦船電子工程,2009(1).