意法半導體推出業界首款采用TO—247封裝的650V汽車級MOSFET

橫跨多重電子應用領域的半導體供應商意法半導體推出業界首款采用深受市場歡迎的TO-247封裝的650V AEC-Q101汽車級MOSFET——STW78N65M5和STW62N65M5。

在高壓脈沖環境中，650V額定電壓能夠為目標應用帶來更高的安全系數，有助于提高汽車電源和控制模塊的可靠性。這兩款器件導通電阻[RDS（ON）] 極低，分別為0.032和0.049，結合緊湊的TO-247封裝，可提高系統能效和功率密度。

新產品的市場領先的性能歸功于意法半導體的MDmesh V超結（super-junction）技術。此項技術可生產單位硅面積導通電阻RDS（ON）極低的高壓器件，使芯片的封裝尺寸變得更小。柵電荷（Qg）和輸入電容也極低，因此，Qg×RDS（ON）品質因數（FOM，figure of meric）極其出色，開關性能和能效異常優異。此外，優異的抗雪崩（avalanche）性能可確保器件在持續高壓運行環境中提高耐用性。

MDmesh V整合意法半導體專有的垂直式工藝和經過市場檢驗的PowerMESH水平式架構，導通電阻較同級別的MDmesh II器件降低大約50%。意法半導體采用TO-247封裝的650V汽車級MOSFET現已量產。