長(zhǎng)波段InAS/GaSb超品格材料的分子束外延研究

摘要：InAs/GaSb II類超晶格作為紅外探測(cè)材料具有優(yōu)越的光電性能，其量子效率高，暗電流小，微帶帶隙可調(diào)，是第三代紅外焦平面探測(cè)器的最優(yōu)選材料。本文對(duì)長(zhǎng)波段超晶格材料分子束外延技術(shù)進(jìn)行了優(yōu)化，設(shè)計(jì)了“兩步法”界面控制技術(shù)，制備了高質(zhì)量的77 K光致發(fā)光（PL）、發(fā)光波長(zhǎng)為8.54μm的長(zhǎng)波段超晶格材料。研究了表面遷移率增強(qiáng)法外延長(zhǎng)波段超晶格的缺陷形成機(jī)制和應(yīng)變平衡機(jī)制，發(fā)現(xiàn)InSb界面在低溫生長(zhǎng)及過(guò)量淀積的情況下存在二維生長(zhǎng)的特性。