一種用于場發射的二氧化鈦納米尖陣列薄膜的制備方法
2013-12-26 14:13:06
有色金屬材料與工程 2013年2期
關鍵詞：方法
專利名稱:一種用于場發射的二氧化鈦納米尖陣列薄膜的制備方法
專利申請號:201210488574.9
公開號:CN102995091A
申請日:2012.11.26 公開日:2013.03.27
申請人:北京大學
本發明提供了一種用于場發射的二氧化鈦納米尖陣列薄膜的制備方法.其步驟主要包括:首先將擺洗好的鈦片進行第一次陽極氧化,完畢之后,利用超聲去掉附著在鈦片上的二氧化鈦納米管薄膜;然后,將鈦片重新裝入電極,進行第二次陽極氧化,完畢之后,取出鈦片進行擺洗;最后即可獲得二氧化鈦納米尖陣列薄膜.本發明的方法實現了適合于場發射的二氧化鈦納米尖陣列的制備.與傳統的微電子場發射針尖陣列相比,本發明方法簡單,制備參數容易控制,且陣列的尖端比較尖銳,有利于場發射的獲得.并且,經高溫退火后的二氧化鈦納米尖陣列薄膜,具有更低的開啟與閾值場強,特別是在450 ℃下退火的樣品具有最小的開啟與閾值場強,場發射性能明顯提高.
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