劉治君,李蓬蓬,李柏渝,孫廣富
(國防科學技術大學電子科學與工程學院,湖南 長沙410073)
GNSS接收機本振信號和采樣時鐘引入的相位噪聲,都會對載波跟蹤環(huán)和延遲鎖定環(huán)的跟蹤和測距性能造成影響。對于亞納秒級的測量,相位噪聲的影響是不可忽略的[1]。要降低相位噪聲對測量精度的影響,可以從射頻前端和信號處理兩個方面進行。文獻[2]提出了利用改進卡爾曼濾波算法和多通道中相位噪聲的相關性,抑制相位噪聲的影響。而射頻前端主要是研究低相噪的頻率源。
介紹了鎖相環(huán)的工作原理及相位噪聲傳遞和Hittite公司的HMC820的特點及內部結構,設計了一個基于該芯片的低相噪鎖相環(huán)電路,并針對該芯片,通過實驗驗證了鑒相頻率和環(huán)路帶寬對鎖相環(huán)輸出信號的相位噪聲的影響。
用于頻率綜合的鎖相環(huán)的工作原理如圖1所示。用于頻率合成的鎖相環(huán)由鑒相器、環(huán)路濾波器、VCO和N分頻器組成,實際上是一個反饋環(huán)路。鎖相環(huán)的輸出信號的相位噪聲由式(1)所示[3]:


圖1 鎖相環(huán)原理框圖
式中:Sout(f)為輸出相噪的單邊帶功率譜;N為分頻比;H(f)為鎖相環(huán)的閉環(huán)傳遞函數;SCU(f)為參考頻標的相位噪聲;SVCO(f)為VCO的相位噪聲。
由式(1)可知,鎖相環(huán)的輸出相位噪聲由參考頻標、VCO和閉環(huán)傳遞函數,即環(huán)路濾波器共同決定。參考頻標對于輸出相位噪聲的影響體現在兩個方面,首先是參考頻標的頻率,對于同一個輸出頻率,參考頻率越高,N越小,從而使式(1)中的第一項減小;另外是參考頻標的相位噪聲,由于H(f)呈低通特性,所以輸出信號的近端相位噪聲主要由參考頻標和H(f)的帶寬決定,遠端相位噪聲主要由VCO決定。
HMC820是Hittite推出的一款低相噪、內部集成VCO的鎖相環(huán)芯片,其內部結構如圖2所示。

圖2 HMC820的內部結構
參考頻標首先經過R分頻器,然后送到鑒相器。鑒相器的輸出經過電荷泵后,由管腳CP輸出至外接環(huán)路濾波器,濾波后,經管腳VTUNE來控制VCO,VCO產生的信號經過一個可編程的分頻器后對外輸出,可以輸出1 095~1 275MHz,2 190~2 550MHz和4 380~5 100MHz三個頻帶的信號。
HMC820有以下特點:
1)高集成度。內部集成了低相噪VCO、自校準VCO諧振系統(tǒng)、低相噪數字鑒相器、高精度電荷泵和三個可編程分頻器。高集成度使外圍電路極簡單。通常,電路設計只需要考慮環(huán)路濾波器即可。
2)高鑒相頻率。對于同樣的RF頻率,較高的鑒相頻率可以減小式(1)中的N,從而降低輸出信號的近端相位噪聲。HMC820的最高鑒相頻率可以達到100MHz,而一般的鎖相環(huán)芯片的鑒相頻率要小得多,如國家半導體公司的LMX2531系列的芯片,最高鑒相頻率僅為32MHz.
3)高頻率準確度。當芯片工作在精確模式下時,輸出頻率幾乎可以達到零誤差。
4)短的頻率鎖定時間。采用跳周抑制技術,大大縮減了鎖定時間。
5)采用數字鎖定檢測技術,相對于傳統(tǒng)的模擬檢測技術,可以通過串口對芯片內部的狀態(tài)進行更細致的檢測。
對于內部集成VCO的鎖相環(huán)芯片,VCO的相噪特性不能改變,而參考頻標往往由原子鐘或高穩(wěn)晶振提供,因此,電路設計主要考慮參考頻標的頻率和環(huán)路濾波器的設計。
當目標頻率一定時,鑒相頻率決定了分頻比N,由式(1)可知,分頻比越大,近端相噪越低,同時,由于H(f)是非理想的,N也會對遠端相噪產生一定影響。
由于鑒相器、VCO和分頻器都集成在芯片內部,所以環(huán)路濾波器就成了電路設計的重點。環(huán)路濾波器設計最重要的參數是環(huán)路帶寬,它不僅是影響相位噪聲的重要參數,還與動態(tài)范圍、鎖定時間等相關。其定義為開環(huán)傳遞函數幅度的3dB帶寬。
鎖相環(huán)最終輸出的相位噪聲可以看做是VCO的相位噪聲曲線與參考頻標的相位噪聲曲線的組合,兩條曲線的交點由環(huán)路濾波器決定。在僅考慮相位噪聲的情況下,最理想的情況是環(huán)路帶寬取在兩條曲線的交叉點附近。對于含有除N分頻器的頻率合成器,還必須考慮參考信號的噪聲惡化[4]。
HMC820通過SPI編程控制內部寄存器及監(jiān)視工作狀態(tài)。
對HMC820的編程主要包括配置R-分頻器、N-分頻器、電荷泵和VCO子系統(tǒng)。R-分頻器對參考頻標進行分頻,分頻過后的信號作為鑒相頻率輸入到鑒相器;N-分頻器的取值由目標頻率與鑒相頻率決定;電荷泵的設置會影響輸出相噪和鎖定指示;VCO子系統(tǒng)編程是對內部VCO調諧。
可通過讀操作來讀取內部寄存器狀態(tài)。LD_SDO管腳是一個通用輸出口,進行讀操作時,輸出相應的寄存器值,其他時間的輸出可編程。
某項目中,需要1 114MHz的本振信號,因此,選擇HMC820的f0/2工作模式。
電路選用4階無源濾波器,通過改變鑒相頻率和環(huán)路參數,驗證二者對以HMC820為基礎的電路的輸出相位噪聲的影響。
測試主要從兩個方面進行。首先固定環(huán)路帶寬,改變鑒相頻率,觀察鑒相頻率的影響,以驗證鑒相頻率的影響;其次固定鑒相頻率,改變環(huán)路帶寬,以驗證環(huán)路帶寬的影響。
測試儀器采用羅德施瓦茨的FSUP8.
保持環(huán)路帶寬為190kHz不變,改變鑒相頻率,得到結果如圖3所示。

圖3 相噪隨鑒相頻率的變化
由圖中可以得到以下結論:
1)當鑒相頻率增大時,相位噪聲降低,這與理論是相符的;
2)當鑒相頻率增大到一定程度后,相位噪聲降低的幅度越來越小,80MHz與100MHz鑒相的輸出相噪相差已經很小,這是因為式(1)取對數后,相噪隨分頻比按對數關系增長;
3)對于同一個環(huán)路參數,不同的鑒相頻率,相噪曲線的拐點不同。
固定鑒相頻率為100MHz,改變環(huán)路帶寬,得到測量結果如圖4所示。

圖4 相噪隨環(huán)路帶寬的變化
由圖中可以得到以下結論:
1)環(huán)路帶寬對近端相噪影響較小(1Hz處的差異可認為是相噪儀的測量誤差造成的);1MHz處的相噪也幾乎不隨環(huán)路帶寬變化,這是因為遠端的相噪由VCO決定;
2)而曲線拐點附近的相噪隨環(huán)路帶寬變化較大,這是因為|H(f)|2是非理想的,存在過渡帶,在拐點附近的相位噪聲由參考頻標和VCO分別以|H(f)|2和|1-H(f)|2加權得到的;
3)以100MHz鑒相時,190kHz的環(huán)路帶寬對應的鑒相曲線過渡比較平滑,相位噪聲比較理想;
4)隨著環(huán)路帶寬增大,相噪曲線的拐點對應的頻率變大,但與環(huán)路帶寬不相等,而大約是環(huán)路帶寬的1/3.同時,由圖3可知,這種對應關系還與鑒相頻率相關。
經過比較,當鑒相頻率為100MHz,環(huán)路帶寬為190kHz時,HMC820的輸出相位噪聲較好,其實測圖如圖5所示。

圖5 1114MHz信號的相噪實測圖
國家半導體公司的LMX2531系列芯片在相近頻率的相噪如表1所示[5]

表1 LMX2531的相位噪聲
與之相比,HMC820的相位噪聲降低了10dB以上,證明了HMC820在相位噪聲指標上的優(yōu)越性。
介紹了鎖相環(huán)的工作原理及相位噪聲的傳遞過程,以HMC820為基礎,搭建了鎖相環(huán)電路,分析了鑒相頻率和環(huán)路帶寬對HMC820的鎖相環(huán)電路的影響,得到了一些有工程意義的結論,并給出了較優(yōu)的鑒相頻率和環(huán)路帶寬設置。實測結果表明:與同類芯片相比,HMC820在相位噪聲指標上確實有較大優(yōu)勢。
[1]朱祥維.衛(wèi)星導航系統(tǒng)時間同步關鍵技術研究[D].長沙:國防科技大學,2007.
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