La0.7Sr0.3MnO3單晶外延薄膜制備及其磁電阻特性
2013-04-29 00:44:03張欣羊新勝程翠華張勇呂莉張敏趙勇
西南交通大學學報(社會科學版) 2013年5期
張欣 羊新勝 程翠華 張勇 呂莉 張敏 趙勇
為制得性能良好的涂層導體用La0.7Sr0.3MnO3（LSMO）緩沖層薄膜、研究LSMO薄膜的低磁場磁電阻效應，利用高分子輔助化學溶液沉積法，在LaAlO3（LAO）單晶基底上制備了一系列鈣鈦礦LSMO單晶外延薄膜.考慮氬氣和氧氣退火氣氛對LSMO成相的影響，研究了氬氣退火條件下樣品的織構、形貌情況和氧氣退火條件下制得的樣品的輸運性質及磁電阻效應.研究結果表明：氬氣下采用高分子輔助的化學溶液沉積法有利于制備出低成本、高性能的涂層導體用單一LSMO緩沖層；氧氣下退火制得的薄膜c軸取向生長良好，并且電阻溫度曲線出現絕緣體金屬相變，其磁電阻值在200～300 K范圍內不隨溫度變化，在1 T磁場室溫下磁電阻值約為-26.0
