三段式門極驅動抑制MOSFET關斷過沖振蕩的研究

王孝偉　李鐵才　石堅　林琦

0、引言

MOSFET（metal-xoide-semiconductor fieldeffect transistor）和IGBT等開關器件已廣泛應用于開關電源、變頻器、伺服驅動器中，隨著功率半導體生產工藝、封裝技術的不斷改進，開關器件逐步向高頻化方向發展。高頻化在改善系統性能的同時，卻在系統中產生了高幅值的高頻電壓和電流振蕩，帶來負面的影響。一方面，高頻電壓和電流振蕩產生的電磁波會給系統自身和其他系統帶來嚴重的電磁干擾，影響系統的正常工作；另一方面，高幅值的電壓和電流振蕩會使系統所承受的應力增加，給系統的安全及壽命帶來嚴重的影響。