·專利技術·

一種碳酰氟的純化方法

申請(專利)號:201310239401.8

公開(公告)日:2013-09-18

申請(專利權)人:中國船舶重工集團公司第七一八研究所

本發明涉及一種碳酰氟的純化方法，屬于氟化工、電子工業氣體技術領域。該純化方法:先將COF2粗產品氣體進行脫輕和脫重處理:脫輕處理時，純化裝置底部為－112～－48℃，壓力為0.01 ～0.6 MPa，頂部比底部低0.5 ～30 ℃;脫重處理時，純化裝置底部為－81～80℃，壓力為0.01～0.6 MPa，頂部比底部低0.5 ～30 ℃，得初步精餾混合氣體;再進行二次精餾純化:純化裝置底部為－123～ －36 ℃，壓力為 0.01 ～1.03 MPa，頂部比底部低0.2～45℃，得純化后氣體。該純化方法尤其適于CO2含量較多的COF2粗產品氣體，純化后氣體中 COF2純度≥99%，CO2含量 ＜1000×10－6。

一種晶體硅太陽能電池的擴散工藝

申請(專利)號:201310338042.1

公開(公告)日:2013-10-23

申請(專利權)人:中利騰暉光伏科技有限公司

摘要:本發明公開了一種晶體硅太陽能電池的擴散工藝，主要涉及晶體硅太陽能電池生產過程中液態磷源擴散法P-N結的制備，其特征在于，進舟后首先在擴散工序的升溫的過程中通少量氧氣，形成一層二氧化硅薄層，使得沉積在硅片表面的磷原子必須通過二氧化硅層這層薄膜才能擴散進入硅片，從而達到均勻擴散的效果，然后先高溫通源沉積，可以快速有效的溶解金屬沉淀和金屬復合體，再進行降溫僅通氮氣，再進行補源二次低溫通源沉積，極大地增加了吸雜的驅動力，最后再進行推進、冷卻，采用本發明工藝，能夠有效提升太陽能電池的光電轉換效率，極大縮短生產時間，提升生產產能，節省磷源使用量，降低生產成本，且工藝簡單可行，不需要增加額外工序步驟和物料。

一種半導體薄膜生長裝置及其生長方法

申請(專利)號:201310315026.0

公開(公告)日:2013-11-13

申請(專利權)人:中國科學院半導體研究所

摘要:本發明公開了一種半導體薄膜生長設備及其生長方法，該生長設備適用于化學氣相沉積工藝進行半導體薄膜的生長。所述半導體薄膜生長設備，其包括:載氣裝置、液態源裝置、生長室、旁路以及真空系統，這些部件之間通過管道按一定的邏輯關系連結成一個整體;且每條管道可獨立地打開或關閉。所述液態源裝置包括多個源瓶，安裝在一個惰性氣體控制柜里，其中源瓶安裝在恒溫槽里，通過載氣鼓泡法將液態源輸送至生長室，并在生長室中進行化學反應合成所需半導體薄膜。所述載氣直接通過主管道進入生長室，并通過打開或關閉旁路控制生長室氣源，以達到控制薄膜生長以及切換過程中平衡生長室壓力的目的。

一種氧氣瓶用鋼及其制備方法

申請(專利)號:201310283012.5

公開(公告)日:2013-11-06

申請(專利權)人:江蘇久維壓力容器制造有限公司

摘要:本發明公開了一種氧氣瓶用鋼，所述鋼由以下重量百分比的化學成分組成:C 0.10% ～0.25%、Si 0.2% ～0.3%、Mn 0.6% ～0.7%、P 0.01% ～ 0.02%、S 0.01% ～0.02%、Mo 0.20% ～0.22%、Cr 1.0%～1.1%、余量為鐵和不可避免的雜質。本發明還公開了上述氧氣瓶用鋼的制備方法。本發明的氧氣瓶用鋼具有高強度、高抗壓性、高硬度的優點，采用本發明鋼制成的氧氣瓶在盛裝氧氣時，即使瓶內的氧氣稍多，瓶體也不會輕易發生塑性變形，導致爆炸現象的發生，并且使用本發明鋼制成的氧氣瓶在儲藏和運輸過程中，本鋼瓶能更好的經受住碰撞和瓶內氧氣的高壓力，另外，本發明提供的煉鋼方法生產成本低，生產過程容易控制，生產工藝過程簡單。

III族氮化物外延結構及其生長方法

申請(專利)號:201310339115.9

公開(公告)日:2013-11-13

申請(專利權)人:廈門市三安光電科技有限公司

摘要:本發明公開了一種III族氮化物外延結構及其生長方法，其III族氮化物的外延結構，至少包括:Si襯底，和位于Si襯底之上的III族氮化物層，其特征在于:在所述Si襯底和III族氮化物的界面處并列存在Al原子和原位生成的SixNy，其中Al原子起到浸潤Si襯底和銜接III族氮化物層的作用，SixNy用于釋放異質外延產生的失配應力。