Xilinx投片首個ASIC級可編程架構的行業首款20 nm器件

20 nm UltraScale器件相對競爭產品

提前一年實現1.5～2倍的系統級性能和可編程系統集成度

北京2013年7月10日電/美通社/——All Programmable FPGA、SoC和3D IC的全球領先企業賽靈思公司（Xilinx，Inc.(NASDAQ∶XLNX)）今天宣布，延續28 nm工藝一系列行業創新，在20 nm工藝節點再次推出兩大行業第一：投片半導體行業首款20 nm器件，也是可編程邏輯器件(PLD)行業首款20 nm All Programmable器件；發布行業第一個ASIC級可編程架構UltraScaleTM。這些具有里程碑意義的行業第一發布，延續了賽靈思在28 nm領域投片首款器件以及在All Programmable SoC、All Programmable 3D IC和SoC增強型設計套件上所實現的一系列行業第一的優勢。

賽靈思UltraScale架構：行業第一個ASIC級可編程架構,可從20 nm平面晶體管結構(planar)工藝向16 nm乃至FinFET晶體管技術擴展，從單芯片（monolithic）到3D IC擴展。它不僅能解決整體系統吞吐量擴展限制的問題和時延問題，而且直接應對先進節點芯片性能方面的最大瓶頸問題——互連。

賽靈思公司可編程平臺產品部高級副總裁Victor Peng指出：“我們制定了業界最積極的20 nm投片計劃，我相信，和最接近的競爭產品相比，賽靈思在高端器件上遠遠領先至少一年的時間，而在中端器件上則領先至少半年左右。當你結合采用臺積(TSMC)技術和我們的UltraScale架構，并通過我們的Vivado?設計套件進行協同優化，我們相信將比競爭對手提前一年實現1.5～2倍的系統級性能和可編程系統集成——相當于領先競爭產品整整一代?！?/p>

(Xilinx公司供稿)