注入法等效替代電磁輻照法試驗(yàn)技術(shù)研究

潘曉東 魏光輝 盧新福 李新峰

（軍械工程學(xué)院靜電與電磁防護(hù)研究所，河北 石家莊050003）

引 言

隨著大功率用頻設(shè)備的不斷增多以及電子戰(zhàn)系統(tǒng)、電磁脈沖彈和高功率微波武器的出現(xiàn)，有限空間內(nèi)的電磁環(huán)境將日趨惡劣［1］，高強(qiáng)度輻射場（HIRF）已經(jīng)成為武器裝備和各類民用電子系統(tǒng)所面臨的新挑戰(zhàn)［2-3］.GJB1389A-2005系統(tǒng)電磁兼容性要求［4］給出了系統(tǒng)所面臨的外部電磁環(huán)境，在大部分頻段場強(qiáng)遠(yuǎn)高于200V/m，在2.7～3.6GHz的頻段內(nèi)，艦船上發(fā)射機(jī)主波束下或陸軍直升機(jī)外部電磁環(huán)境峰值場強(qiáng)甚至高達(dá)27 460V/m，均值場強(qiáng)達(dá)到2 630V/m.若對系統(tǒng)開展安全裕度試驗(yàn)，則需要模擬更高的場強(qiáng)，而這樣的指標(biāo)在目前實(shí)驗(yàn)室條件下無法實(shí)現(xiàn).因此，單純的輻照試驗(yàn)方法已經(jīng)難以滿足系統(tǒng)級電磁輻射敏感度及安全裕度試驗(yàn)的要求.

注入法是將電流直接注入到設(shè)備的殼體或電纜上來替代輻射場照射的效應(yīng)試驗(yàn)方法，其實(shí)質(zhì)是把高場強(qiáng)輻射敏感度試驗(yàn)采用電流傳導(dǎo)敏感度試驗(yàn)來替代.雖然傳統(tǒng)的大電流注入法（BCI）和直接電流注入法（DCI）已提出了近半個世紀(jì)［5］，但將其應(yīng)用于全頻段的HIRF替代性試驗(yàn)仍存在以下問題：一是應(yīng)用頻率范圍受限.對于BCI而言，在較高頻率注入時，線纜上的駐波會使得注入和監(jiān)測電流值隨注入位置的變化十分敏感，同時鐵氧體注入探頭性能嚴(yán)重降低，使測試結(jié)果準(zhǔn)確性降低以及注入效率下降［6］.對DCI而言，當(dāng)頻率升高到一定值時，完全回路導(dǎo)體裝置內(nèi)高階模的產(chǎn)生會使其內(nèi)部場強(qiáng)的大小和場均勻性發(fā)生很大的變化［7］.大量研究表明，當(dāng)頻率高于400MHz時，BCI和DCI與輻照法的相關(guān)性明顯下降［8］，無法滿足測試要求.二是兩種注入方法均無法準(zhǔn)確替代HIRF對非線性系統(tǒng)的輻照實(shí)驗(yàn).目前，BCI技術(shù)要求受試系統(tǒng)是線性的［9］，即輻照場強(qiáng)和線纜上感應(yīng)的電流值之間是線性變化關(guān)系，因此可直接將兩者在低場強(qiáng)的對應(yīng)關(guān)系線性外推至高場強(qiáng)，而在HIRF作用下大部分受試系統(tǒng)為非線性系統(tǒng)，若BCI技術(shù)仍采用和線性系統(tǒng)相同的測試方法，由于線性外推條件不滿足而導(dǎo)致誤差較大.對DCI技術(shù)而言，在被試設(shè)備附近激發(fā)的電磁波基本為橫電磁波（TEM），電場方向垂直于被試設(shè)備表面，但在輻照試驗(yàn)時，電場僅在導(dǎo)體表面與其垂直，而在孔洞、縫隙等電磁耦合比較強(qiáng)烈的部位，往往電磁場具有較大的平行分量，這一點(diǎn)不可避免地導(dǎo)致二者試驗(yàn)結(jié)果存在一定的差異［10］.

綜上所述，大范圍空間內(nèi)構(gòu)建HIRF在目前實(shí)驗(yàn)室條件下難以實(shí)現(xiàn)，采用傳統(tǒng)的電流注入技術(shù)對受試系統(tǒng)開展寬頻帶的HIRF替代性試驗(yàn)又存在諸多不足.因此，有必要探索一種能夠在理論上保證注入與輻照嚴(yán)格等效的注入試驗(yàn)新方法，進(jìn)而對互聯(lián)系統(tǒng)開展電磁易損性及安全裕度試驗(yàn)，彌補(bǔ)單一輻照測試方法在試驗(yàn)場地及輻射強(qiáng)度等方面的不足.

1 理論分析

從嚴(yán)格意義上來說，注入和輻照過程不能完全等效，因?yàn)檩椪者^程相當(dāng)于諸多分布源作用于受試系統(tǒng)，而注入過程相當(dāng)于集總源的作用［6］.但是，對于一些干擾耦合通道十分明確的受試系統(tǒng)，比如互聯(lián)系統(tǒng)、天饋系統(tǒng)等，電磁能量主要以傳導(dǎo)干擾的形式經(jīng)線纜（天線）端口作用于受試系統(tǒng)的內(nèi)部電路［11-12］，由于試驗(yàn)考核的是線纜兩端所連接設(shè)備的電磁敏感性，因此，此種條件下可以采用注入的方法來等效替代輻照效應(yīng)試驗(yàn).

對于互聯(lián)系統(tǒng)而言，注入與輻照試驗(yàn)嚴(yán)格等效的依據(jù)是兩者對受試系統(tǒng)的響應(yīng)相等，工程上等效的依據(jù)是兩者產(chǎn)生的效應(yīng)相同.基于這一考慮，若能夠保證作用于設(shè)備電纜（天線）端口的響應(yīng)電壓或注入電流信號相同就可以保證兩者試驗(yàn)方法的等效性［6，13］.因此，本文將以設(shè)備端口的響應(yīng)電壓信號相等作為注入法和輻照法等效的依據(jù).

1.1 注入替代輻照等效性分析

典型互聯(lián)系統(tǒng)在外界電磁場輻照條件下，可以簡化成如圖1所示的傳輸網(wǎng)絡(luò)，其中ZA為設(shè)備A的等效阻抗，ZL為受試設(shè)備B的等效阻抗.

為求得等效阻抗ZL上的響應(yīng)電壓，A-A′左側(cè)的分支可以等效為戴維南等效電路，如圖2所示.

這種方法把受試設(shè)備外部端口的干擾等效為無源阻抗元件ZSR和等效電壓源USR.將左側(cè)戴維南等效電路與右側(cè)受試設(shè)備B的等效阻抗ZL結(jié)合起來，得到受試系統(tǒng)輻照響應(yīng)等效電路，如圖3所示.

在輻照試驗(yàn)條件下，由分布場激勵源形成的等效電路開路電壓USR可應(yīng)用BLT方程進(jìn)行求解［14］.令A(yù)-A′端口開路，即ρB＝1，可求得x＝l處的開路電壓為

式中S1和S2分別為BLT方程中的源矢量，若采用Agrawal模型［15］，源矢量與入射電場E成線性變化關(guān)系，為簡化表述方式，令式（1）中的等效開路電壓USR與入射電場E之間的傳遞函數(shù)為f，則式（1）可簡化表示為

且滿足f（k·E）＝k·f（E），通過求得無源阻抗元件ZSR和等效電壓源USR，根據(jù)圖3的等效電路，可以計算出等效阻抗ZL的輻照響應(yīng)為

參照上述分析過程，容易得出受試設(shè)備B在注入試驗(yàn)條件下的等效電路，如圖4所示，其中：USI為注入電壓源，ZSI為注入電壓源的內(nèi)阻，為受試設(shè)備B在注入試驗(yàn)條件下的響應(yīng).

圖3 輻照響應(yīng)等效電路

圖4 注入響應(yīng)等效電路

根據(jù)圖4等效電路，受試設(shè)備B在注入試驗(yàn)條件下等效阻抗上的響應(yīng)可表示為

根據(jù)前面提出的注入與輻照兩種試驗(yàn)方法等效的依據(jù)：受試系統(tǒng)的響應(yīng)相同，即uLR＝uLI，可得

根據(jù)式（1）可計算輻照條件下的集總電壓源USR，通過式（6）最終確定了理論上等效的注入電壓源USI與輻照場強(qiáng)E之間的對應(yīng)關(guān)系，保證了注入與輻照試驗(yàn)的等效性.對于單頻點(diǎn)連續(xù)波輻照試驗(yàn)，ZSR、ZSI和ZL是固定值，采用式（6）可以得到等效注入電壓源USI；但對于寬帶脈沖輻照試驗(yàn)，ZSR、ZSI和ZL是隨著頻率變化的量，只有當(dāng)ZSR＝ZSI時，根據(jù)式（6）才能得出USI＝USR＝f （E），此時等效注入電壓源與頻率無關(guān)，可以實(shí)現(xiàn)注入與輻照試驗(yàn)的等效性.

1.2 強(qiáng)場條件下注入電壓源外推方法

強(qiáng)場試驗(yàn)條件下大多數(shù)系統(tǒng)為非線性系統(tǒng)，即由于模塊、器件工作狀態(tài)的改變（如進(jìn)入飽和區(qū)、限幅區(qū)等）以及材料性能、寄生參數(shù)的變化等因素的影響導(dǎo)致受試系統(tǒng)的端口響應(yīng)已經(jīng)不再與輸入信號成線性比例變化.因此，注入激勵源如何外推是能否實(shí)現(xiàn)注入等效替代強(qiáng)場輻照試驗(yàn)的關(guān)鍵問題.

為此，在對典型非線性系統(tǒng)進(jìn)行理論分析和試驗(yàn)研究的基礎(chǔ)上，我們將互聯(lián)系統(tǒng)受外界電磁輻照并出現(xiàn)干擾（降級、失效、毀傷等）效應(yīng)的情況分為兩個過程：即場線耦合過程（對于天饋系統(tǒng)，則為天線接收過程）和模塊、器件的電路響應(yīng)過程，如圖5所示.

圖5 非線性互聯(lián)系統(tǒng)輻照響應(yīng)過程

由電磁場理論可知：場線耦合過程為線性過程，模塊、器件的電路響應(yīng)過程為非線性過程.若能夠保證注入激勵源與輻照等效的集總電壓源在模塊、器件的輸入前端激勵效果相同，則注入試驗(yàn)同樣會出現(xiàn)與輻照試驗(yàn)相同的非線性電路響應(yīng)，此時由低場強(qiáng)到高場強(qiáng)試驗(yàn)的等效注入電壓源仍然可以采用線性外推.而為保證高場強(qiáng)下注入激勵源與輻照等效的集總電壓源激勵效果相同，需要滿足兩個條件：第一，高場強(qiáng)條件下注入電壓源與輻照等效的集總電壓源開路電壓相同，即USI＝USR；第二，輻照與注入等效電路中模塊、器件響應(yīng)的分壓比相同，即由于USR是場線耦合線性過程中得到的等效集總電壓源，因此高功率注入激勵源可以通過對預(yù)先試驗(yàn)中得到的低功率等效注入源線性外推得到；第二個條件，由于受試系統(tǒng)阻抗ZL在高場強(qiáng)輻照或高功率注入試驗(yàn)條件下會發(fā)生改變，為保證電路響應(yīng)的分壓比相同，則必需要求兩個激勵源的輸出阻抗相同，即ZSI＝ZSR.滿足了這兩個條件，高場強(qiáng)試驗(yàn)的等效注入電壓源可以采用低場強(qiáng)下二者的對應(yīng)關(guān)系線性外推得到.

1.3 注入等效替代輻照實(shí)現(xiàn)方法

從工程實(shí)際出發(fā)，根據(jù)上述等效替代理論及激勵源外推方法，提出將互聯(lián)傳輸線上的前向電壓u＋（0）作為中間過程等效參量，以注入和低場強(qiáng)輻照兩次預(yù)先試驗(yàn)中u＋（0）相等為依據(jù)，進(jìn)而提取低場強(qiáng)等效注入電壓源USI，通過線性外推USI獲取滿足高場強(qiáng)試驗(yàn)的等效注入電壓源VSI（VSI＝kUSI，其中k為輻射場強(qiáng)放大的倍數(shù)）.

為了能夠?qū)ヂ?lián)傳輸線上的前向電壓（功率）進(jìn)行監(jiān)測，同時保證注入與輻照等效電路中激勵源的輸出阻抗相同（條件二），提出采用“注入耦合模塊”來實(shí)現(xiàn)注入替代輻照試驗(yàn)的等效性.

“注入耦合模塊”是用于互聯(lián)系統(tǒng)寬頻帶電磁注入敏感度試驗(yàn)的輔助設(shè)備，其典型連接方式如圖6所示，在A、B構(gòu)成的系統(tǒng)正常工作的前提下，通過模塊的注入端口對受試系統(tǒng)B開展電磁注入試驗(yàn).

圖6 注入耦合模塊的連接方式示意圖

模塊的1＃、2＃為直通端口，用于互聯(lián)設(shè)備之間正常工作信號的傳輸；4＃為注入端口，用于對受試設(shè)備B進(jìn)行電磁注入試驗(yàn)，5＃為監(jiān)測端口，用于對互聯(lián)傳輸線上的前向電壓信號進(jìn)行監(jiān)測.要求模塊具有一定的工作帶寬，可以完成電磁脈沖試驗(yàn)；同時，4＃和5＃端口與主通道保持同相位或反相位，保證瞬態(tài)脈沖信號注入與監(jiān)測不失真.

上述耦合模塊引入后，互聯(lián)系統(tǒng)的等效電路如圖7所示，Z4為注入激勵源內(nèi)阻，Z5為監(jiān)測端口示波器輸入阻抗，UDCI為所加注入激勵源的開路電壓.

圖7 互聯(lián)系統(tǒng)連接注入耦合裝置的等效電路

根據(jù)戴維南等效電路理論，注入與輻照等效電壓源的內(nèi)阻ZSR和ZSI等于將所有激勵源除去后所得到的無源網(wǎng)絡(luò)A-A′兩端之間的等效阻抗.分析可知：注入與輻照試驗(yàn)具有相同的無源網(wǎng)絡(luò)，注入耦合模塊在保證互聯(lián)系統(tǒng)正常工作的前提下，能夠滿足注入與輻照等效電路中激勵源輸出阻抗相同.因此，利用耦合模塊來實(shí)現(xiàn)注入等效替代輻照試驗(yàn)是可行的.

2 試驗(yàn)結(jié)果分析

為驗(yàn)證耦合模塊注入法與電磁輻照法的等效性，以典型天線接收系統(tǒng)射頻前端為受試對象，開展單頻連續(xù)波輻照與等效注入試驗(yàn)研究.

2.1 受試互聯(lián)系統(tǒng)

受試系統(tǒng)為典型非線性互聯(lián)系統(tǒng)，由接收天線、同軸電纜及射頻前端組件等構(gòu)成，其整體連接方式如圖8所示.射頻前端組件包括：限幅濾波組件、定向耦合器、低噪聲放大器、靈敏度控制組件、限幅放大器等，將其集成在一個機(jī)箱內(nèi)作為一個整體.假定接收天線為設(shè)備A，射頻前端組件箱為受試設(shè)備B，A、B之間通過同軸電纜進(jìn)行連接，由于B中限幅濾波器、低噪聲放大器等組件的非線性響應(yīng)特性，因此上述系統(tǒng)可用于驗(yàn)證注入替代輻照試驗(yàn)的等效性.

圖8 天線接收互聯(lián)系統(tǒng)連接方式示意圖

2.2 試驗(yàn)?zāi)康募胺椒?/h3>

2.2.1 試驗(yàn)?zāi)康?/p>

通過對天線接收互聯(lián)系統(tǒng)進(jìn)行輻照與注入效應(yīng)試驗(yàn)研究，驗(yàn)證輻照場強(qiáng)和等效注入電壓源之間為線性變化關(guān)系，替代高場強(qiáng)輻照試驗(yàn)的等效注入電壓源可以采用低場強(qiáng)下的對應(yīng)關(guān)系線性外推得到.

2.2.2 試驗(yàn)方法

總體思路：分別對受試互聯(lián)系統(tǒng)進(jìn)行輻照與注入效應(yīng)試驗(yàn)，使圖8中的受試設(shè)備B在輻照與注入試驗(yàn)中均出現(xiàn)非線性的響應(yīng)過程.記錄輻照場強(qiáng)、注入電壓值與設(shè)備B響應(yīng)之間的對應(yīng)關(guān)系，由于設(shè)備B的響應(yīng)電壓值可監(jiān)測，因此直接以設(shè)備B響應(yīng)相同作為等效依據(jù)，可得到設(shè)備B出現(xiàn)線性及非線響應(yīng)時輻射場強(qiáng)與等效注入電壓值之間的對應(yīng)關(guān)系，若此關(guān)系保持線性變化，則可以驗(yàn)證高場強(qiáng)下注入等效替代輻照試驗(yàn)方法的有效性.

具體方法：分別按圖9、10所示的配置方式，對受試互聯(lián)系統(tǒng)進(jìn)行輻照與注入效應(yīng)試驗(yàn).采用頻譜分析儀對設(shè)備B的響應(yīng)信號直接進(jìn)行測試，作為注入與輻照等效的依據(jù).以耦合度為10dB，插入損耗為1.5dB的單定向耦合器作為電磁注入耦合模塊.在輻照試驗(yàn)中，用于對互聯(lián)通道前向電壓信號進(jìn)行監(jiān)測；在注入試驗(yàn)中，通過耦合器的前向隔離端口對受試設(shè)備B進(jìn)行電磁注入，即注入電壓源輸出的功率衰減10dB后進(jìn)入受試設(shè)備B.單定向耦合器的引入能夠保證注入與輻照試驗(yàn)等效電路中激勵源的輸出阻抗相同，同時互聯(lián)系統(tǒng)在試驗(yàn)中能夠正常工作.

2.3 試驗(yàn)結(jié)果及分析

選取射頻前端內(nèi)不同非線性組件構(gòu)成設(shè)備B，分別設(shè)為B1和B2.其中，B1的核心為低噪聲放大器組件，B2的核心為限幅濾波組件，另外系統(tǒng)中還包括機(jī)箱、電源、風(fēng)扇、衰減器等輔助設(shè)備或模塊.在互聯(lián)系統(tǒng)的工作頻段2～8GHz范圍內(nèi)，選取多個頻點(diǎn)進(jìn)行試驗(yàn)，B1試驗(yàn)時取3.3GHz、4.6GHz和7.2GHz，B2試驗(yàn)時取4.6GHz、5.6GHz和7.2 GHz.

2.3.1 輻照效應(yīng)試驗(yàn)

按照2.2.2提出的方法進(jìn)行輻照效應(yīng)試驗(yàn)，得出不同頻點(diǎn)B1和B2輸出響應(yīng)與輻照電場強(qiáng)度之間的曲線關(guān)系，分別如圖11、12所示.

從圖11、12可以看出：不同頻點(diǎn)受試設(shè)備B1和B2的輸出響應(yīng)與輻照電場強(qiáng)度之間的關(guān)系曲線變化趨勢相同.當(dāng)輻照電場強(qiáng)度較低時，受試設(shè)備B1和B2的輸出響應(yīng)與輻照場強(qiáng)成線性變化關(guān)系；隨著輻照電場強(qiáng)度的增大，設(shè)備B1和B2開始出現(xiàn)非線性的響應(yīng)過程；若輻照電場強(qiáng)度繼續(xù)增大，則B1和B2的輸出響應(yīng)進(jìn)入飽和區(qū)直至損壞.因此，輻照電場強(qiáng)度與設(shè)備B1和B2的輸出響應(yīng)為典型的非線性關(guān)系，選擇B1和B2作為試驗(yàn)受試設(shè)備是比較合適的.

2.3.2 注入效應(yīng)試驗(yàn)

按照2.2.2提出的方法進(jìn)行注入效應(yīng)試驗(yàn)，為方便后續(xù)的數(shù)據(jù)處理分析，得出輻照場強(qiáng)與等效注入電壓之間的曲線關(guān)系，因此需調(diào)整注入電壓源的輸出功率值，使相同頻率條件下，設(shè)備B的輸出響應(yīng)與輻照試驗(yàn)相同，從而得出不同頻點(diǎn)B1和B2輸出響應(yīng)與注入電壓之間的曲線關(guān)系，如圖13、14所示.

從圖13、14可以看出：受試設(shè)備B1和B2在通過定向耦合器前向的隔離端口注入試驗(yàn)條件下，其輸出響應(yīng)曲線與輻照試驗(yàn)相類似，即低電壓注入時為線性響應(yīng)關(guān)系，隨著注入電壓的升高，B1和B2出現(xiàn)非線性的響應(yīng)過程.由此可見：只要選擇合適的注入激勵條件，注入試驗(yàn)同樣會出現(xiàn)與輻照試驗(yàn)相同的非線性響應(yīng)過程.

2.3.3 注入電壓與輻照場強(qiáng)的等效關(guān)系

為了定量分析注入電壓與輻照場強(qiáng)之間的等效對應(yīng)關(guān)系，在保證設(shè)備B1和B2輸出響應(yīng)相同的前提下，得出B1和B2在不同頻點(diǎn)注入電壓與輻照場強(qiáng)之間的對應(yīng)關(guān)系，如圖15和16所示.

分析圖15、16中實(shí)測數(shù)據(jù)點(diǎn)的變化趨勢可知：輻照電場強(qiáng)度與注入電壓成線性變化關(guān)系，對實(shí)測數(shù)據(jù)進(jìn)行線性擬合（y＝mx），得出受試設(shè)備B1和B2在不同頻率試驗(yàn)條件下線性擬合的斜率m及相關(guān)系數(shù)R，如表1中所示.可以看出：不同頻點(diǎn)實(shí)測數(shù)據(jù)線性擬合的斜率m存在一定差異，這主要是由于不同頻率互聯(lián)系統(tǒng)接收電磁輻射的能力不同所致.通過對相關(guān)系數(shù)R分析可知，圖15、16中各頻點(diǎn)數(shù)據(jù)線性擬合具有很高的精度（擬合精度是指趨勢線的估計值與對應(yīng)的實(shí)際數(shù)據(jù)之間的擬合精度，當(dāng)R2等于或接近1時，其可靠性最高），即等效注入電壓值與輻照場強(qiáng)值成線性變化關(guān)系.對于圖15、16中有少量數(shù)據(jù)點(diǎn)不完全符合線性關(guān)系（出現(xiàn)在受試系統(tǒng)進(jìn)入飽和區(qū)的數(shù)據(jù)點(diǎn)），這主要是由試驗(yàn)誤差造成的.解釋其原因?yàn)椋河捎谧⑷肱c輻照試驗(yàn)是以設(shè)備B的輸出響應(yīng)相同作為等效依據(jù)，當(dāng)設(shè)備B進(jìn)入飽和區(qū)后，其輸出響應(yīng)值對輻照場強(qiáng)（或注入電壓）變化不敏感，差值較大的兩個輻照場強(qiáng)（或注入電壓）可能會出現(xiàn)幾乎相等的輸出響應(yīng)，因此造成了少量數(shù)據(jù)點(diǎn)的試驗(yàn)誤差.

表1 實(shí)測數(shù)據(jù)線性擬合的斜率及相關(guān)系數(shù)

綜上所述，即使對于非線性響應(yīng)受試系統(tǒng)，若保證受試系統(tǒng)注入與輻照試驗(yàn)效應(yīng)相同，則不同頻點(diǎn)等效注入電壓與輻照場強(qiáng)成線性變化關(guān)系.從另一個角度來說，若能夠保證注入與輻照等效激勵源在受試系統(tǒng)前端激勵效果相同，則注入試驗(yàn)同樣會出現(xiàn)與輻照相同的非線性電路響應(yīng).因此，由低場強(qiáng)到高場強(qiáng)試驗(yàn)的等效注入電壓源可以進(jìn)行線性外推.

3 結(jié) 論

以典型互聯(lián)系統(tǒng)為研究對象，對注入法等效替代電磁輻照法的試驗(yàn)技術(shù)進(jìn)行了研究.將設(shè)備端口的響應(yīng)電壓相等作為等效依據(jù)，推導(dǎo)了注入電壓與輻照場強(qiáng)之間的等效對應(yīng)關(guān)系，確定了強(qiáng)場條件下注入電壓源線性外推應(yīng)滿足的條件，提出了基于耦合模塊的等效注入試驗(yàn)新方法.通過典型非線性互聯(lián)系統(tǒng)的試驗(yàn)研究表明：輻照場強(qiáng)和等效注入電壓源之間為線性變化關(guān)系，替代高場強(qiáng)輻照試驗(yàn)的等效注入電壓源可以采用低場強(qiáng)下的對應(yīng)關(guān)系線性外推得到，試驗(yàn)結(jié)果同時驗(yàn)證了注入等效替代輻照試驗(yàn)方法的有效性.

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