麻省理工研制出史上最小晶體管

麻省理工微系統實驗室宣布采用砷鎵銦化合物制造出了史上最小的晶體管，其厚度僅為22 nm。合作開發人員和麻省理工學院的教授 Jesú del Alamo稱，采用砷化銦鎵能夠制造出極小的MOSFET，由于同時擁有極佳的邏輯性能，可保證在硅達到極限后維持摩爾定律的發展。

研究人員先采用分子束外延技術生長一層砷鎵銦單晶，然后沉積一層鉬作為源極和漏極接觸金屬。然后采用電子束光刻在襯底上刻蝕出圖案，并將蒸發鉬打到表面形成柵極，緊貼在源極和漏極中間。這些技術雖然被廣泛應用于硅基半導體制造，但很少被用在化合物半導體晶體管上。這是因為此前化合物半導體通常被用于光通信領域，對空間要求較低。