HID燈鎮(zhèn)流器中UniFET II MOSFET的性能和效率

摘要： 先進(jìn)的單元結(jié)構(gòu)和壽命控制技術(shù)已同時(shí)增強(qiáng)了功率MOSFET的導(dǎo)通電阻和反向恢復(fù)性能。 本文介紹一種新開發(fā)的平面MOSFET—UniFETTM II MOSFET—具有顯著提高的體二極管特性，另外還介紹了其性能和效率。 根據(jù)壽命控制的集中程度，UniFET II MOSFET可分為普通FET、FRFET和Ultra FRFET MOSFET，其反向恢復(fù)時(shí)間分別為傳統(tǒng)MOSFET的70%、25%和15%左右。為了驗(yàn)證全新MOSFET的性能和效率，用帶混頻逆變器的150 W HID燈鎮(zhèn)流器進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。結(jié)果證明，兩個(gè)UniFET II MOSFET可取代兩個(gè)傳統(tǒng)MOSFE和四個(gè)附加FRD，并且無MOSFET故障。

關(guān)鍵詞： UniFET II；FRFET；Ultra FRFET；MOSFET故障；混頻逆變器和HID鎮(zhèn)流器

DOI： 10.3969/j.issn.1005-5517.2013.2.002

在，即使在完全飽和的穩(wěn)態(tài)下。

如表1所示，UniFET II MOSFET系列具有較好的反向恢復(fù)性能。 使用普通MOSFET和FRD的傳統(tǒng)解決方案與UniFET II Ultra FRFET MOSFET之間的直通電流比較結(jié)果如圖12所示。在使用2個(gè)普通MOSFET和4個(gè)FRD的傳統(tǒng)解決方案中，測得的反向恢復(fù)電流峰值為11.44 A。

現(xiàn)更高的可靠性。 UniFET II MOSFET具有出色的dv/dt強(qiáng)度、反向恢復(fù)特性（比如：恢復(fù)時(shí)間短、反向恢復(fù)電流低）以及較低的電荷。 因此，在注重MOSFET體二極管性能的開關(guān)逆變器應(yīng)用中，它可確保更高的可靠性。 為了驗(yàn)證新MOSFET的有效性，用帶混頻全橋逆變器的150 W室內(nèi)HID燈鎮(zhèn)流器進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，UniFET II MOSFET可以提高逆變器系統(tǒng)的可靠性，同時(shí)還可以通過去除其他二極管降低制造成本。