我國(guó)研究出可在單層氧化石墨烯上直接繪制納米器件技術(shù)

近日，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)合肥微尺度國(guó)家實(shí)驗(yàn)室王曉平研究組、羅毅研究組采用新的方法和工藝，成功實(shí)現(xiàn)了在單層氧化石墨烯上直接繪制納米晶體管器件，為石墨烯技術(shù)與大規(guī)模集成電路相融合提供了新的可能。

據(jù)其研發(fā)人員介紹說，他們采用一種全新的設(shè)計(jì)思路，首先在絕緣的氧化石墨烯上通過局域還原反應(yīng)，直接制備導(dǎo)電的納米線路并構(gòu)筑成晶體管和互聯(lián)電路。然后，利用表面鍍鉑的原子力針尖的局域催化作用，在氫氣環(huán)境下將氧化石墨烯加熱到100℃左右，制備出最小寬度僅20納米的還原石墨烯條帶，其電導(dǎo)率超過10的四次方每米西門子，比普通氧化石墨烯提高了100萬(wàn)倍。最后，利用該方法，成功演示了納米互聯(lián)電路和場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件。測(cè)試結(jié)果表明，其性能明顯優(yōu)于目前常用的導(dǎo)電聚合物和非晶硅場(chǎng)效應(yīng)管器件。