6月5日,SanDisk閃迪公司宣布,SanDisk閃迪正采用全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝生產(chǎn)SanDisk閃迪最高性能的嵌入式存儲(chǔ)產(chǎn)品。
iNAND Extreme目前采用19nm工藝技術(shù)制造,滿足大容量、高性能的嵌入式NAND閃存產(chǎn)品需要,特別適用于高端平板電腦和智能手機(jī)。運(yùn)行安卓操作系統(tǒng)以及即將問市的Microsoft Windows 8操作系統(tǒng)的RT版本產(chǎn)品都將受益于iNAND Extreme的大容量、高性能與小尺寸優(yōu)勢(shì)。
iNAND Extreme嵌入式閃存能夠明顯提高多任務(wù)處理、網(wǎng)頁瀏覽、文件傳輸以及圖像捕獲等方面的性能,為智能手機(jī)和平板電腦用戶帶來更為愉悅的體驗(yàn)。iNAND Extreme的存儲(chǔ)容量范圍為16GB至128GB。128GB存儲(chǔ)器足以容納數(shù)部高清電影及數(shù)千首(張)歌曲和照片。
用19nm制造技術(shù)打造出的iNAND Extreme電路極為緊湊。來比較一下,一張紙的厚度約為0.1mm(10萬nm),這意味著一張紙的厚度上可以排布5000個(gè)19nm厚的物體。
iNAND Extreme將被用于最新NVIDIA Tegra3 4-Plus-1 四核處理器的參考設(shè)計(jì),作為運(yùn)行最新版操作系統(tǒng)的高端平板電腦和移動(dòng)設(shè)備的推薦型高性能存儲(chǔ)設(shè)備。