低導通電阻溝槽柵極LIGBT的模擬研究

李婷 王穎 陳宇賢 高松松 程超

0引言

橫向絕緣柵雙極晶體管(LlGBT)是由B-IT和MOS組成的復合全控型電壓驅動式電力電子器件，兼有M0sFET的高輸人阻抗和GTR的低導通電阻兩方面優點，從根本上解決了LDMOS所具有的器件耐壓與導通電阻之間的矛盾，改善了器件的功率控制能力，使其廣泛應用于中頻和中等電流領域。