安森美半導體推出高性能場截止型IGBT，用于高能效電源轉換

應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體推出新系列的場截止型（Field Stop）絕緣門雙極結晶體管（IGBT），目標應用為工業電機控制及消費類產品。NGTB15N120、NGBT20N120及NGBT25N120應用于高性能電源轉換方案，適合多種要求嚴格的應用，包括電磁爐、電飯煲及其他廚房小家電應用。

能源價格不斷上升及圍繞碳排放的環保因素，持續帶動更高性能功率分立元器件的需求，尤其是在大功率電磁感應及變頻器的應用。這些新的額定電壓1 200 V的IGBT采用深溝槽技術及先進的晶圓薄化及加工處理技術，提供極低的關閉損耗，同時在導通期間維持低通態電壓，因而提供更低的開關損耗及導電損耗。這些器件提供15 A、20 A及25 A額定電流等不同選擇，且與極低正向壓降及軟恢復快速整流器組合封裝，符合客戶對高能效的嚴格要求，同時為他們提供高空間利用率的完整方案。

安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN）是應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商。公司的產品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業、LED照明、醫療、軍事/航空及電源應用的獨特設計挑戰，既快速又符合高性價比。公司在北美、歐洲和亞太地區之關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設計中心在內的世界一流、增值型供應鏈和網絡。