Vishay推出的下一代D系列MOSFET具有諸如超低導通電阻、超低柵極電荷等高性能指標

日前，Vishay Intertechnology,Inc.宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400 V、500 V和600 V n溝道器件具有低導通電阻、超低柵極電荷和3～36 A電流，采用多種封裝。

今天發布的D系列MOSFET基于新的高壓條帶技術，使效率和功率密度達到新的水平。器件的條帶設計加上更小的裸片尺寸和端接，使柵極電荷比前一代方案低50%，同時提高了開關速度，降低了導通電阻和輸入電容。

400 V、500 V和600 V器件的導通電阻分別為0.17Ω、0.13Ω和0.34Ω。超低的導通電阻意味著極低的傳導和開關損耗，能夠在服務器和通信電源系統、焊接、等離子切割、電池充電器、熒光燈、高強度放電(HID)照明、半導體設備和電磁加熱的高功率、高性能開關電源應用中節約能源。

D系列MOSFET中的400 V、500 V和600 V器件的柵極電荷分別為9 nC、6 nC和45 nC，具有最佳的柵極電荷與導通電阻乘積，該值是用在功率轉換應用中MOSFET的關鍵優值系數(FOM)，400 V、500 V和600 V器件的FOM分別為7.65Ω-nC、15.6Ω-nC和12.3Ω-nC。

新的D系列MOSFET采用簡單的柵極驅動電路、非常耐用的本體二極管，易于設計到更緊湊、更輕、發熱更少的終端產品中。器件符合RoHS指令，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定，雪崩（UIS）定級讓器件能夠穩定可靠地工作。