IC觀察：國產功率半導體芯片亟待突破

盡管我國擁有國際上最大的功率半導體市場，但是目前國內功率半導體產品的研發與國際大公司相比還存在很大差距，特別是高端器件差距更加明顯。

功率半導體在產品節能中發揮著巨大的作用。在可預見的將來，無論是水電、核電、火電還是風電，甚至各種電池提供的化學電能，將是人類消耗的最重要能源。但是75%以上的電能應用需由功率半導體進行變換以后才能供電子設備使用，而且功率半導體還能使電能的利用更高效、更節能、更環保，給使用者提供更多的方便。因此，功率半導體的發展應用前景將非常廣闊。應用范圍正從傳統的工業控制領域——4C領域(計算機、通信、消費類電子產品和汽車電子)擴展到國民經濟與國防建設的各個方面。

盡管我國擁有國際上最大的功率半導體市場，但是目前國內功率半導體產品的研發與國際大公司相比還存在很大差距，特別是高端器件差距更加明顯。以IGBT為例，核心技術均掌握在發達國家企業手中，IGBT技術集成度高的特點又導致了較高的市場集中度。跟國內廠商相比，英飛凌、三菱電機、富士電機和日立等國際廠商占有絕對的市場優勢。形成這種局面的原因，一是國際廠商起步早，研發投入大，尤其是在傳統的硅基半導體領域形成了專利壁壘。二是國外高端制造業水平比國內要高很多，一定程度上支撐了國際廠商的技術優勢。中國功率半導體產業的發展必須改變目前技術處于劣勢的局面，特別是要在產業鏈上游層面取得突破，改變目前功率器件領域封裝強于芯片的現狀。

總體來看，當前功率半導體的技術發展方向是：第一，碳化硅芯片的采用;第二，功率半導體里面搭載的各種功能;第三，在封裝技術上，通過摒棄了綁定線，使功率半導體的壽命更長、穩定性更好、功率密度更大。因此，我國功率半導體企業需要認清技術發展趨勢，加強技術力量的引進和消化吸收，以市場帶動設計，以設計促進芯片，以芯片壯大產業，加大國內功率半導體技術的創新力度和提高產品性能，從而滿足市場需求，促進功率半導體市場的健康發展以及國內電子信息產業的技術進步與產業升級。