科銳推出突破性GaN基固態(tài)放大器平臺(tái)

科銳公司（Nasdaq：CREE）宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40 V、0．25μm碳化硅襯底氮化鎵基（GaN-on-SiC）裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng)新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。

主要的市場(chǎng)應(yīng)用包括航海雷達(dá)、醫(yī)療成像、工業(yè)及衛(wèi)星通信等領(lǐng)域。與GaAs晶體管相比，固態(tài)放大器具有更高的可靠性、更低的成本以及更卓越的效率，并且能夠縮小功率放大器和電源的體積。GaN HEMT功率放大器的高效率能夠有效地降低發(fā)射機(jī)的功率消耗。

在40V漏極電壓和Ku波段工作頻率范圍內(nèi)，全新GaNHEMT裸芯片產(chǎn)品CGHV1J006D、CGHV1J025D以及CGHV1J070D的額定輸出功率分別為6W、25W和70W。

新型碳化硅襯底氮化鎵裸芯片產(chǎn)品系列采用科銳專利技術(shù)，同時(shí)可擴(kuò)展性的大信號(hào)器件模型能夠與安捷倫公司的Advanced Design System以及 AWR公司的 Microwave Office模擬平臺(tái)相兼容，因此無線射頻設(shè)計(jì)工程師能夠準(zhǔn)確地模擬先進(jìn)的射頻放大器電路，從而顯著縮短設(shè)計(jì)周期并實(shí)現(xiàn)更高微波頻率。0．25μm碳化硅襯底氮化鎵HEMT工藝具有業(yè)界領(lǐng)先的可靠性，并能夠在 40 V的漏極電壓下工作。當(dāng)通道溫度高達(dá)225℃時(shí)，平均無故障運(yùn)行時(shí)間超過一百萬小時(shí)。