SiC表面高溫改性法生成石墨烯研究

石墨烯具有高遷移率等優良的電學性質，然而其制備卻是個難題。SiC高溫表面改性法因其生長出的石墨烯質量較高且可以直接通過光刻在SiC襯底上制作器件，被認為是目前最有希望大規模制備高質量石墨烯的方法之一。