太陽電池組件高能電子輻射效應研究

張永泰 ，秦 瑋，楊艷斌，于 強，姜海富，柴麗華

（1.北京衛星環境工程研究所 可靠性與環境工程技術重點實驗室, 北京 100094；2.北京工業大學 材料學院, 北京 100124）

太陽電池組件高能電子輻射效應研究

張永泰1，秦 瑋1，楊艷斌1，于 強1，姜海富1，柴麗華2

（1.北京衛星環境工程研究所 可靠性與環境工程技術重點實驗室, 北京 100094；2.北京工業大學 材料學院, 北京 100124）

研究空間高能電子輻照對單結GaAs太陽電池組件短路電流、開路電壓以及輸出功率的影響，分析了組件電性能退化機理。高能電子輻照造成單結GaAs太陽電池組件導線及環氧樹脂基板顏色加深；隨輻照注量的增加，單結GaAs太陽電池組件短路電流、開路電壓以及輸出功率逐漸下降。當電子注量達到1.0×1015e/cm2時，電池組件輸出功率下降到初始值的79.0 %。組件電性能的退化主要是電池輻照損傷所致。

電池組件；高能電子；短路電流；開路電壓；輸出功率

引言

太陽電池陣是航天器重要的供電系統，它將太陽光能轉化成電能，供給航天器的各個系統使用[1～3]。空間環境包括電子、質子、原子氧、熱循環及空間碎片等，航天器在軌服役期間，位于艙外的太陽電池陣將遭受空間環境的作用，導致其輸出功率下降，嚴重時甚至造成整個電池陣的失效[4～6]。因此，有必要研究空間環境對太陽電池陣輸出特性的影響。目前，國內外對于太陽電池陣空間環境效應的研究主要集中在材料級，組件級的報道較少。但由于組件級實驗能夠更加真實地模擬電池陣的空間使用狀態，具有材料級實驗無法替代的優勢，已越發引起人們的重視。

基于此，本文針對單結GaAs太陽電池組件開展了高能電子輻照實驗研究，分析了電池組件輸出特性的變化，對航天器用太陽電池陣的設計優化提供了依據。

1 試驗

1.1 材料

單結GaAs太陽電池組件（如圖1）由2片尺寸為40 mm×30 mm的太陽電池片組成，電池片粘貼于環氧樹脂基板上。單結GaAs太陽電池組件由中國電子科技集團公司第十八研究所生產。

1.2 儀器設備

單結GaAs太陽電池組件輻照實驗在高能電子加速器上進行，加速器能產生高通量、高穩定性電子束，用于材料及器件的空間電子輻射效應研究。

試驗前后，利用太陽模擬器模擬AM0（大氣質量為零的太陽光譜分布），在1 353 W/m2，25 ℃的條件下，測試太陽電池組件輻照前后的I-U輸出特性，測量值包括短路電流（Isc）、開路電壓（Voc）和輸出功率（Pm）。采用Lambda950型紫外、可見光分光光度計，測試組件電池片反射光譜。采用光致發光光譜儀對組件電池片的熒光光譜（PL）進行測試。測試系統用325 nm短波長激光激發半導體材料產生熒光。

1.3 試驗參數

電子輻照注量的選取以GEO軌道（高度36 000 km）衛星15年的累積劑量為依據，GEO帶電粒子環境主要來源于輻射帶粒子和太陽耀斑質子。計算方法先通過軟件計算得到GEO帶電粒子的分布，其中輻射帶粒子采用AE8/AP8模型，太陽質子采用JPL91模型，然后將GEO軌道的帶電粒子環境等效為1 MeV電子的影響，并考慮電池表面玻璃蓋片對高能電子的衰減作用（計算選用玻璃蓋片厚度為90 μm）。圖1為輻射帶電子和質子以及太陽耀斑質子的積分能譜。

通過計算可知15年GEO粒子環境對帶90 μm玻璃蓋片單結GaAs太陽能電池的影響可以等效為1.0×1015e/cm2的1 MeV電子輻照對無蓋片單結GaAs太陽電池的影響。考慮到實驗余量，選取如表1所示參數對電池組件進行輻照實驗。

2 結果與討論

2.1 伏安特性曲線

圖3給出了實驗前后單結GaAs太陽電池組件典型伏安特性曲線圖。可以看出在1 MeV電子輻照作用下，當輻照注量達到1.3×1015e/cm2時，電池組件的短路電流和開路電壓均出現明顯下降，曲線的彎曲程度減小，說明電池組件性能發生了衰退。

2.2 宏觀形貌

電子輻照實驗后，對電池組件宏觀形貌進行了拍照，如圖4所示。通過與圖1對比，發現輻照前后電池片、互聯片外觀形貌及顏色沒有明顯變化，但導線及基板顏色加深。太陽電池組件用導線和基板均是聚合物材料，高能電子輻照作用會造成聚合物材料分子鏈的斷鍵、交聯，影響材料表面官能團種類和數量，還會造成材料表面粗糙度的變化，從而影響材料的光學特性，導致其表面顏色改變[7,8]。

圖1 單結GaAs太陽電池組件

圖2 輻射帶電子和質子以及太陽耀斑質子積分能譜圖

表1 實驗參數表

圖3 實驗前后單結GaAs太陽電池組件伏安特性曲線

圖4 電子輻照前后單結GaAs電池組件外觀形貌

2.3 輸出特性變化

實驗前后測試了電池組件短路電流、開路電壓以及輸出功率數據，并進行了歸一化處理，如圖5所示。可以看出，電子輻照實驗后，電池片的短路電流、開路電壓以及輸出功率均發生了衰減，且隨著電子注量的增加，衰減幅度增大。當電子注量達到1.0×1015/cm2時，電池輸出功率下降到初始值的79.0 %。

2.4 反射光譜

不同注量電子輻照時單結GaAs電池片的反射率變化如圖6所示。可以看出電子輻照前后，電池的反射率變化不明顯。為提高電池光電轉換效率，電池片表面一般鍍制減反射膜，材質為TiO2、SiO2等。電子輻照前后電池片反射率結果表明不同注量電子輻照對單結GaAs太陽電池減反層的光學特性影響不大。

圖5 單結GaAs電池組件輸出特性隨電子注量的變化圖

圖6 太陽電池光譜反射率變化圖

2.5 熒光光譜

PL測試是一種無損測試方法，可以快速、便捷地表征半導體材料缺陷、雜質以及材料的發光性能。GaAs體材料光致發光效應顯著，理論上純GaAs的激光波長為840 nm[9]。

圖7為不同注量電子輻照后電池PL譜變化。可以看出，輻照前光譜在波長為870 nm處有一個很強的峰，這是摻雜GaAs的特征峰。經電子輻照后，隨著輻照注量的增加，GaAs特征峰強度越來越低，同時產生了紅移效應，說明GaAs晶體點陣的完整性受到了破壞，即有大量輻照缺陷產生。

圖7 太陽電池PL譜

不同電子注量下GaAs電池的PL光譜變化與激子效應相關。激子的有效波爾半徑Bα服從下式：

式中：

m0—電子靜質量；

ε—相對介電常數；

由公式（1）計算可知，GaAs點陣中激子的波爾半徑約為10 nm，當高能電子輻照時，電池晶格的完整性被破壞，波爾半徑增大。致使激子數量減小，電池光致發光峰強度降低，電子輻照注量的增大會加劇峰強下降的程度。

從圖7中可以看出，電子輻照后GaAs電池的光致發光峰位發生了紅移，這與GaAs內部產生的大量晶格原子位移效應有關。電子輻照時，一方面入射電子會通過碰撞，使晶格原子位移，稱為初級位移；另一方面，初級位移原子又可以與其它原子碰撞，引發次級位移。原子位移效應會形成許多空位-間隙對，擾亂了晶格的完整性，造成PL譜線紅移。

總之，輻照損傷是導致電子作用下單結GaAs太陽電池組件電性能退化的主要原因。電子輻照使電池點陣空間的完整性受到破壞，產生的激子數目減少，同時還引入了新的陷阱，致使電性能下降。

3 結論

1）高能電子輻照造成單結GaAs太陽電池組件導線及環氧樹脂基板顏色加深，電池片外觀無明顯變化。

2）高能電子輻照后，單結GaAs電池組件性能發生了衰退。隨電子輻照注量的增加，組件短路電流、開路電壓以及輸出功率逐漸下降。當電子注量達到1.0×1015e/cm2時，電池輸出功率下降到初始值的79.0 %。

3）高能電子輻照下單結GaAs電池的輻照損傷是造成太陽電池組件電性能退化的主要原因。電子輻照破壞了電池點陣空間的完整性，產生的激子數目減少，產生了大量的輻照缺陷，引起電池組件電性能下降。

[1] 胡建民, 吳宜勇, 何松, 等. 國產GaAs/Ge太陽電池在軌行為評價[J]. 太陽能學報, 2010, 31(12):1568-1573.

[2]王曉燕, 鄭雙. 熱循環對硅太陽電池伏安特性的影響[J]. 太陽能學報, 2009, 30(10):1315-1318.

[3]王曉燕, 耿洪濱, 何世禹, 等. 熱循環作用下太陽電池板單元結構壽命預測[J]. 太陽能學報, 2007, 28(6):583-586.

[4]龐壽成, 院小雪, 臧衛國, 等. 太陽電池污染與紫外協合效應試驗方法研究[J]. 環境技術, 2015, 33(5):6-8.

[5]王榮, 劉運宏, 孫旭芳, 等. 國產高效GaInP/GaAs/Ge三結太陽電池的低能質子輻照效應[J]. 半導體學報, 2007, 28(10):1599-1602.

[6]張麗新, 楊士勤, 何世禹. 太陽能電池膠接結構在真空熱循環下粘接性能研究[J]. 中國膠粘劑, 2002, 11(4):1-3.

[7]馮偉泉, 王榮, 丁義剛, 等. 低能質子對衛星熱控涂層太陽吸收率的影響[J]. 中國空間科學技術, 2007, (6):42-47.

[8]李春東, 楊德莊, 何世禹, 等. 電子輻照能量對Kapton/Al熱控涂層光學性能的影響[J]. 強激光與粒子束, 2003,15 (8):741-745.

[9]沈學礎. 半導體光學性質[M]. 北京:科學出版社. 1992:633.

Research on High Energy Electron Irradiation Effect of Solar Cell Modules

ZHANG Yong-tai1, QIN Wei1, YANG Yan-bin1, YU Qiang1, JIANG Hai-fu1, CHAI Li-hua2
(1. Beijing Institute of Spacecraft Environment Engineering, Science and Technology on Reliability and Environmental Engineering Laboratory, Beijing 100094;2. School of Materials Science & Engineering, Beijing University of Technology, Beijing 100124)

This paper studies the high energy electron irradiation effect on short circuit current, open circuit voltage and output power of single junction GaAs solar cell modules, analyzes the degradation mechanism of modules. The results indicate that high energy electron irradiation makes wire and epoxy resin substrate darken after test. The short circuit current, open circuit voltage and output power are decreased with increasing electron fluence. The degradation of solar cell modules output power can reach to 79 % of the initial value in case of 1.0×1015e/cm2electron fluence. High energy electron irradiation damage effect leads to the electrical property degradation of GaAs solar cell modules.

solar cell modules; high energy electron; short circuit current; open circuit voltage;output power

TM 914.4

B

1004-7204（2017）05-0031-05

張永泰，1987年出生，主要從事航天器空間環境效應研究。

姜海富，1980年出生，博士，高級工程師，主要從事航天器空間環境效應及防護技術研究。