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Sb系half-Heusler合金磁性及電子結構的第一性原理研究*

2011-10-25 07:08:30文黎巍王玉梅裴慧霞周口師范學院物理與電子工程系周口46600
物理學報 2011年4期

文黎巍 王玉梅 裴慧霞 丁 俊(周口師范學院物理與電子工程系,周口 46600

2)(中國科學院物理研究所,國家凝聚態物理實驗室,北京 100190)(2010年5月2日收到;2010年7月15日收到修改稿)

Sb系half-Heusler合金磁性及電子結構的第一性原理研究*

文黎巍1)王玉梅1)裴慧霞1)丁 俊2)1)(周口師范學院物理與電子工程系,周口 466001)

2)(中國科學院物理研究所,國家凝聚態物理實驗室,北京 100190)(2010年5月2日收到;2010年7月15日收到修改稿)

采用基于密度泛函理論的第一性原理方法,計算了 Sb系 half-Heusler合金 XYSb(X=Ni,Pd,Pt;Y=Mn,Cr)的晶體結構、磁性及電子結構.計算結果表明,在平衡晶格常數下,合金NiMnSb為半金屬,其他為金屬.合金的總磁矩主要由Y元素自旋磁距貢獻,隨著元素X原子序數減小,費米能級移向自旋向下能帶導帶底;壓縮使費米能級上移,遠離Sb原子p能帶,PtMnSb,PdMnSb與NiCrSb在壓應力下可實現金屬—磁性半金屬轉變.

第一性原理,磁性,電子結構,金屬—磁性半金屬轉變

PACS:71.30.+h,75.50.Cc

1.引 言

具有鐵磁性質和半金屬性的 Heusler或half-Heusler合金對于新型功能材料的開發起到了巨大的作用,使其在電子信息,航空航天,計算機,醫學等領域都展現出巨大的開發潛力和廣闊的應用前景,成為目前材料物理研究的熱點之一[1—12].

鐵磁性的half-Heusler合金研究中,Si系研究的較多[13—16],其研究表明,大部分此系合金顯半金屬性,其晶胞磁矩為整數,并且具有高的居里溫度.Half-Heusler合金通式XYZ各元素對其合金磁性和電子結構的影響及規律研究較少,基于此,本文計算了 Sb系 half-Heusler合金 XYSb(X=Ni,Pd,Pt;Y=Mn,Cr)的晶體結構、磁性、電子結構以及拉伸和壓縮對材料電子結構的影響,重點研究了合金的鐵磁性半金屬性,討論了X和Y元素對費米能級位置的影響和規律.最后根據NiMnSb的半金屬性隨拉伸和壓縮的變化規律,計算得到PtMnSb,PdMnSb和NiCrSb在壓縮時發生金屬—磁性半金屬轉變.

2.計算方法

計算使用基于密度泛函理論(DFT)框架下的Vienna ab-initio Simulation Package(VASP)程序軟件包來完成的,交換關聯能函數采用了廣義梯度近似(GGA).采用投影綴加波函數(PAW)方法來描述價電子與芯電子的相互作用,平面波截斷能取為300 eV,布里淵區積分采用 Monkhorst-Pack形式的特殊k點法,晶格常數優化和自洽計算取為13×13×13形式,態密度計算取為21×21×21形式,收斂判據為能量變化小于10-4eV.

3.結果和討論

3.1.晶格常數和磁性

表 1 列出了 XYSb(X=Ni,Pd,Pt;Y=Mn,Cr)優化后的平衡晶格常數,以及在各自平衡晶格常數下的總磁矩和各原子的局域自旋極化磁矩.PtCrSb結構與half-Heusler有一點差別,其Sb和Cr原子距理想位置有微小偏移[17],為便于比較本文仍采用理想結構計算.由表1可以看出,XMnSb的平衡晶格常數隨著X原子序數和半徑的增大而增大,當X為Pd和Pt時差別較小.括號內與其他計算結果進行比較,結果差別分別由不同計算方法(文獻[18]XMnSb采用全勢線性 muffin-tin軌道方法計算)和不同交換關聯函數(文獻[19]采用 LDA交換關聯 函數)引起.

表1 XYSb的平衡晶格常數、自旋向下帶隙、總磁矩和各原子的局域自旋磁矩

X原子擁有10個價電子,Mn和Cr分別擁有7個和6個,Sb有5個,因此 XMnSb每個原胞的總的價電子數為22,而 XCrSb總價電子數為21.由表1看出,只有NiMnSb的總磁矩4μB符合磁性半金屬half-Heusler合金的 M=Nt-18 原則[13],Nt為原胞的總的價電子數,M為單個原胞的總磁矩.其他XMnSb和 XCrSb合金總磁矩分別在 4μB和 3μB附近,但不是整數,說明Sb系的這六種half-Heusler合金只有 NiMnSb為半金屬,和3.2的能帶圖一致.XMnSb的磁性和電子結構與以往的理論和實驗符合的很好[18,20,21].由各原子的局域自旋磁矩看出,Y原子對合金的總磁矩貢獻最大,X原子d電子與Mn或Cr原子的d電子雜化,具有弱自旋磁矩,Sb原子的價電子主要來自5s和5p,與 Mn或者 Sb的 d電子有弱反鐵磁耦合,在六種合金中都具有方向相反較小的自旋磁矩.

3.2.能帶結構和態密度

圖1,圖2分別為XMnSb和XCrSb的自旋極化能帶結構圖,虛線部分代表自旋向上能帶,均為金屬性,黑色實線代表自旋向下能帶,費米能級設為能量零點.從圖中可以看出,六種合金的自旋向下能帶均有能隙,但只有NiMnSb費米能級處于能隙中間,其余都有能帶穿越費米能級.因此在平衡晶格下,只有NiMnSb為磁性半金屬,其他均為金屬.不同合金自旋向下能帶帶隙由表1所列.由圖1,2知,元素Y不變,隨著元素X原子序數的增大,費米能級離帶隙上能帶底的距離越來越大,對于XMnSb其值依次為 0.27,0.56,0.78 eV,對于 XCrSb 為0.55,1.08,1.12 eV,XMnSb 比 相 對 應 的 XCrSb的值小.

圖1 XMnSb的能帶結構,虛線表示自旋向上能帶

圖2 XCrSb的能帶結構,虛線表示自旋向上能帶

為了分析Sb系合金的電子結構特性,圖3,圖4分別畫出了XMnSb和XCrSb的自旋向上和向下態密度圖.由圖看出,六種合金的自旋向上能帶均沒有帶隙,顯金屬性,自旋向下能帶均有一帶隙,但只有NiMnSb的費米能級處在帶隙的中間,顯半導體性,PtMnSb的費米能級處在帶隙的左邊緣,其他四種合金費米能級處在帶隙左側外,其中PdMnSb和NiCrSb非常接近帶隙邊緣,和能帶圖是一致的.六種合金態密度 -2.5 eV左右主要由 X,Y原子的 d能態占據,-5 eV左右主要由Sb原子p態占據,P,d能態明顯雜化,Sb原子s態孤對電子占據-10 eV附近.結合表1中X元素局域自旋磁矩數值分析,對于XMnSb,隨著 X原子序數的增大,X原子 d能態下移,與Mn原子d能態之間雜化減小,使X原子的磁矩變小;對于 XCrSb,Cr原子磁矩比 Mn小,X原子d能態與Cr原子d能態雜化作用更小,隨著X原子序數的增大,雜化作用減小,Pd和Pt甚至與Cr產生反鐵磁作用,在合金中具有弱的與Cr自旋方向相反的自旋磁矩.

圖3 XMnSb的態密度

圖4 XCrSb的態密度

3.3.應力對NiMnSb的影響

實驗中晶體外延生長需要襯底,不可避免會有應力產生,因此我們對 Sb系六種 half-Heusler合金中唯一的半金屬合金NiMnSb做了拉伸和壓縮計算,研究其電子結構在應力作用下的變化規律.表2列出了NiMnSb拉伸和壓縮2%和5%后的總磁矩、各原子的自旋磁矩和自旋向下能帶的帶隙.從表中看出,帶隙隨著 NiMnSb的拉伸而減小,壓縮而增大,NiMnSb在拉伸和壓縮2%時,總磁矩仍為4μB,而拉伸和壓縮增大到5%時,總磁矩分別增大到4.07μB和減小到3.96μB,不再是整數,說明應力可以調節NiMnSb的總磁矩,使其在應力下發生磁性半金屬—金屬轉變,與磁性半金屬要求的M=Nt-18原則符合很好.從各原子的自旋磁矩看出,Mn和Sb原子的自旋磁矩與晶格常數成正比例變化,而Ni原子成反比例變化,可以這樣理解:NiMnSb合金磁性主要由Mn原子產生,Ni與Mn的 d電子雜化產生弱自旋磁矩,當晶格常數增大時,Ni和Mn之間d電子的雜化減小,Mn磁矩增大,Ni磁矩隨之減小,而Sb與 Mn之間是反鐵磁耦合,隨著雜化作用減小,Sb磁矩變大.

圖5 NiMnSb拉伸和壓縮2%與5%后的能帶結構

圖5為NiMnSb拉伸和壓縮2%與5%后的能帶結構,從圖中可以看出,NiMnSb拉伸和壓縮2%后仍保持其半金屬性,拉伸后,自旋向下能帶帶隙變窄,費米能級向價帶移動,與導帶距離變大;壓縮后,帶隙變寬,費米能級向導帶移動,價帶變寬.壓縮5%后,自旋向下能帶導帶底下移穿越費米能級,拉伸5%后自旋向下能帶價帶頂上移穿越費米能級,均由磁性半金屬轉變為金屬.

表2 NiMnSb拉伸和壓縮后的自旋向下帶隙、總磁矩和各原子的自旋磁矩

圖6 NiMnSb原子投影態密度

圖7 PtMnSb與NiCrSb壓縮1%與2%后的能帶結構

圖6為NiMnSb的原子投影態密度圖.由圖看出,Mn自旋向下態密度幾乎為零,Ni自旋向下態密度距離費米能級較遠,而Sb的p電子在費米能級附近有較大態密度.壓縮時,Sb的p電子與d電子雜化加強,費米能級向上移動,使 Sb的p電子態密度遠離費米能級,同時Mn的d電子空態接近費米能級,壓縮5%時Mn的d電子空態穿越費米能級,由磁性半金屬轉變為金屬.拉伸時與此相反,費米能級下移,p態接近費米能級.結合圖5,發現在 XYSb合金中,如果自旋向下能帶中價帶穿越費米能級,通過壓縮可以使能帶下移,進而實現金屬—磁性半金屬轉變.同時考慮磁性半金屬half-Heusler合金M=Nt-18原則,合金總磁矩接近整數時通過拉伸壓縮調節,結合表 1,PdCrSb與 PtCrSb磁矩與 3μB差別較大,因此只對 PdMnSb,PtMnSb,NiCrSb進行壓縮.圖7給出PtMnSb與NiCrSb壓縮1%與2%的能帶圖,可以清楚的看到壓縮2%后兩者均實現金屬—磁性半金屬轉變.而PdMnSb壓縮3%后也實現金屬—磁性半金屬轉變,結果類似圖7,不再給出.

4.結 論

用基于第一性原理vasp軟件程序包,計算了Sb系 half-Heusler合金 XYSb(X=Ni,Pd,Pt;Y=Mn,Cr)的晶體結構、磁性及電子結構,并總結了半金屬合金NiMnSb拉伸和壓縮后的磁性和電子結構變化規律.計算結果表明,六種合金的平衡晶格常數隨著X原子序數增大而增大;六種合金只有NiMnSb為半金屬,其總磁矩為整數4μB符合半金屬half-Heusler合金的M=Nt-18原則;Y原子自旋極化磁矩對合金的總磁矩貢獻最大,Sb原子的極化較弱,但在六種合金中都是反磁性的;當元素Y不變,隨著元素X原子序數的增大,自旋向下能帶費米能級離帶隙上能帶底的距離越來越大;半金屬NiMnSb在拉伸和壓縮2%后仍保持其半金屬性,而拉伸和壓縮5%后變為金屬,自旋向下能帶帶隙隨著NiMnSb的拉伸而變窄,壓縮而變寬;拉伸后,費米能級向價帶與拉伸系數成正比例移動,壓縮后,費米能級向導帶與壓縮系數成反比例移動.磁矩接近整數的half-Heusler合金,拉伸可使總磁矩增大,壓縮可使總磁矩減小,由此計算驗證了PtMnSb,NiCrSb,PdMnSb在壓應力作用下可以實現金屬—磁性半金屬轉變.

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PACS:71.30.+h,75.50.Cc

First-principles study of magnetism and electronic structure of Sb-containing half-Heusler alloys

Wen Li-Wei1)Wang Yu-Mei1)Pei Hui-Xia1)Ding Jun2)
1)(Department of Physis and Electronic Engineering,Zhoukou Normal University,Zhoukou 466001,China)2)(National Laboratory for condensed Matter Physics,Institute of Physic,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100190,China)(Received 2 May 2010;revised manuscript received 15 July 2010)

Using the first-principles density functional theory,we calculate the crystal structures,magnetisms and electronic structures of Sb-containing half-Heusler alloys XYSb(X=Ni,Pd,Pt;Y=Mn,Cr).The calculation results show that alloy NiMnSb is half-metal and the others are metals at equilibrium lattice constant.The contribution of the spin magnetic moment of Y element to the total moment is largest for all alloys.It is found that the Fermi level of the minority spin band shifts closer to the bottom of spin-down conduction band with atomic number of X element reducing.The Fermi level moves up due to the compressive strain,away from p bands of Sb atom.Under the compresive stress,PtMnSb,PdMnSb and NiCrSb can induce metal half-metal transitions.

first-principles,magnetism,electronic structure,metal half-metal transition

*河南省周口師范學院青年科研基金(批準號:zknuqn201047B)資助的課題.

E-mail:wen-lw@sohu.com

*Project supported by the Yauths Research Folnd of the Zhoukou Normal University of Henan Province,China(Grant No.zknuqu201047B).

E-mail:wen-lw@sohu.com

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