新型高可靠性低功耗6管SRAM單元設(shè)計
2011-04-12 00:00:00李少君王子歐王媛媛張立軍
現(xiàn)代電子技術(shù) 2011年16期
摘要：提出一種新型的6管SRAM單元結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)采用讀/寫分開技術(shù)，從而很大程度上解決了噪聲容限的問題，并且該結(jié)構(gòu)在數(shù)據(jù)保持狀態(tài)下，采用漏電流以及正反饋保持數(shù)據(jù)，從而不需要數(shù)據(jù)的刷新來維持數(shù)據(jù)。仿真顯示了正確的讀/寫功能，并且讀/寫速度和普通6管基本相同，但是比普通6管SRAM單元的讀/寫功耗下降了39%。
關(guān)鍵詞：靜態(tài)噪聲容限；漏電流；低功耗;可靠性
中圖分類號：TN911-34 文獻標識碼：A 文章編號：1004-373X(2011)16-0123-03
