利用濕法刻蝕的方式制備黑硅

摘要：采用一種簡(jiǎn)便的方法制備出具有很好光吸收性能的黑硅材料，利用化學(xué)氣象沉積和光刻的方式在硅片（100）表面形成圓形Si3N4掩膜，然后采用兩種濕法刻蝕相結(jié)合方式來(lái)制備黑硅材料。首先采用堿刻蝕的方式對(duì)硅片進(jìn)行各向異性刻蝕，刻蝕完成后在硅片表面形成尖錐形貌；后期利用金納米顆粒作為催化劑，采用酸刻蝕的方式對(duì)硅片表面進(jìn)行改性，在硅片表面形成多孔結(jié)構(gòu)。這種黑硅材料在250~1 000 nm波段的光吸收率可以達(dá)到95%以上。