大功率VDMOS(200 V)的設計研究

摘要：介紹了大功率VDMOS(200 V)的設計方法。對設計參數(shù)進行了理論分析，并使用仿真工具對設計參數(shù)進行了驗證和優(yōu)化。設計中主要考慮了漏源電壓和導通電阻等參數(shù)指標，通過器件和工藝的仿真，確定了該器件合理的參數(shù)范圍：外延厚度為20 μm，外延電阻率為5 Ω·cm；柵氧厚度為52 nm；P阱注入劑量為3×313cm-2，推阱時間65 min。將流片結果與仿真結果進行了比較。