一種s波段固態高功放的設計及故障分析

0 引 言

射頻LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)晶體管是具有特殊雙擴散結構的功率放大器件，它采用LDD結構，由兩次擴散的橫向結構控制溝道。與傳統的雙極型晶體管相比，在C波段以下，LDMOS晶體管具有成本低、增益大、線性度好、熱穩定性高、開關速度快等諸多優點，使其在遙測遙控、雷達、宇航、廣播電視、衛星通信等系統中脫穎而出，得到了廣泛的應用。