中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所硅基光子學(xué)研究獲突破性進展

中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所硅基光子學(xué)研究獲突破性進展

日前，中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國家重點實驗室SOI課題組在光子學(xué)研究方面取得突破性進展，研究結(jié)果發(fā)表在2011年5月20日出版的《Physical Review Letters》上(作者為:杜駿杰、王曦、鄒世昌、甘甫烷等)，并作為每期最亮點的工作之一，被選為Editors Suggestion。該工作已經(jīng)引起國際同行的廣泛關(guān)注，美國物理學(xué)會在《Physics Aps Org》上作了專題報道。

光束的片上操控具有重要的理論意義和實際應(yīng)用價值。傳統(tǒng)光學(xué)理論認(rèn)為，光束彎曲時，路徑的曲率半徑不可以小于波長。已有研究者提出利用表面等離子體激元、高折射率粒子排列等近場方式突破這一限制。對于傳播中的光束，需要更加復(fù)雜的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)這種亞波長偏轉(zhuǎn)。本研究成果利用了單個粒子在共振時共振模式的不同對稱性，在通過僅有幾個粒子組成的單層排列后，光束就可以發(fā)生90°彎曲(零曲率半徑)，且彎曲后的光與入射光在法線的同一側(cè)，發(fā)生了負(fù)折射現(xiàn)象。

上海微系統(tǒng)所信息功能材料國家重點實驗室SOI課題組致力于硅基光子器件、光電單片集成技術(shù)、硅基片上光互連技術(shù)等硅基光子學(xué)研究。在PRL發(fā)表的這一研究成果可望在高密度集成的硅基光子學(xué)中取得重要應(yīng)用，為相關(guān)研究提供了新穎的光操控原理。這是繼2010年3月該課題組利用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝平臺，在國內(nèi)首次開發(fā)出10 Gbps速率的硅光調(diào)制器芯片之后，在光子學(xué)研究中取得的又一重大突破。

(摘自上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所)