ZnO∶Cd薄膜電學性能的研究

陳 瀚，倪 勇

（1.四川機電職業技術學院,四川 攀枝花 617000；2.四川石油天然氣建設工程有限責任公司，四川 成都 610215）

ZnO∶Cd薄膜電學性能的研究

陳 瀚1，倪 勇2

（1.四川機電職業技術學院,四川 攀枝花 617000；2.四川石油天然氣建設工程有限責任公司，四川 成都 610215）

ZnO是一種寬禁帶半導體材料，它是高阻材料。為了增強ZnO薄膜的導電性能，采用Sol-gel法，結合旋轉涂覆技術在Si（100）襯底上制備了ZnO∶Cd薄膜，摻鎘濃度分別為2%～10%。各種濃度的樣品以金（Au）作電極做成叉指電極，并用絕緣電阻測試儀對摻鎘后ZnO∶Cd進行表面電阻率的測試。根據測試結果對所制備的ZnO∶Cd薄膜的電學性能進行了分析。分析表明采用摻雜方法，制備ZnO∶Cd薄膜并進行熱處理，大大降低了電阻率，從而增強了ZnO∶Cd薄膜的導電性能,優化了工藝參數。

Sol-gel法；旋轉技術；ZnO∶Cd薄膜；熱處理；電學性能

引 言

氧化鋅（ZnO）屬于六角晶系6mm點群，具有纖鋅礦結構，是一種新型的II-VI族禁帶半導體材料。氧化鋅由于具有低閥值、量子限域效應、高效光電轉換效率、強烈的紫外線吸收、紫外激光發射以及壓電、光催化等方面性質，因而在半導體光電器件的集成和微型化領域占有重要的地位[1]。最近30多年來，圍繞著氧化鋅薄膜的晶體結構、物化性能、成膜技術以及相關的器件開發等展開了廣泛深入的研究，使得它的各項性能和應用都獲得了顯著進展。許多應用氧化鋅薄膜制作的電子器件已經得到了廣泛的應用，如在透明SAW（Surface Acoustic Wave聲表面波）器件上ZnO薄膜的應用，以及在透明電極、光電器件、藍光器件等方面也有很大的應用潛力[2]。……