超薄蔭罩式等離子體顯示屏的工藝研究*

金 燁，楊蘭蘭，屠 彥

(東南大學電子科學與工程學院， 南京210096)

等離子顯示屏(PDP)在超大屏幕顯示上，正在逐步成為市場的主流， 是最有前途的超大屏幕HDTV接收機之一[1]。等離子平板顯示器(Plasma Display Panel， PDP)由于寬視角，無圖像畸變，可工作于全數字化模式， 壽命長等優點而受到人們關注[2]。東南大學提出的蔭罩式等離子體顯示屏(Shadow Mask Plasma Disp lay Panel， SMPDP)相對傳統等離子體顯示屏，采用導電金屬蔭罩代替了制作工藝難度高的介質障壁，簡化了工藝，從而提高等離子體顯示屏成品率，降低了成本[3]。

近幾年，便攜式和手持式設備的應用日趨廣泛，許多研究機構正在嘗試開發類似紙張的顯示技術。超薄SMPDP因此誕生了，它是在傳統SMPDP基礎上提出的一種新型顯示器[4]。在結構上，與傳統SMPDP不同的是，超薄SMPDP基板玻璃采用D263T玻璃，其厚度僅50 μm，且充當介質層的作用，基板玻璃沒有排氣管，同時掃描電極和尋址電極制作在基板玻璃外側，為典型的交流PDP兩電極放電結構[5]。因此超薄SMPDP不僅繼承了傳統SMPDP原有優點[6-8]， 還具有厚度薄，重量輕，結構簡單等特性。超薄SMPDP的結構如圖1所示。

圖1 超薄SMPDP結構示意圖

由于D263T玻璃很薄，不易在超薄SMPDP上制作排氣孔，同時為了屏結構美觀堅固，提高屏的性能，對超薄SMPDP采用無排氣管的封排一體化工藝，而且超薄玻璃高溫環境下容易形變，溫度和受力不均時容易破裂。因此，超薄SMPDP的工藝流程與傳統SMPDP有很大不同，封接前的蔭罩以及基板玻璃的處理，封接框的制作，封接溫度控制比后者更為嚴格。本文將基于超薄SMPDP的結構特點，研究超薄SMPDP的封接工藝和實驗制備，重點關注它與普通SMPDP不同的工藝處理，如蔭罩處理工藝、封接固定裝置設計、封接框制作工藝、封接溫度曲線等方面的改進研究。

1 實驗裝置

超薄SMPDP封接實驗所用設備——真空封排一體化系統，如圖2 所示。系統可實現封接，充氣，排氣一體化，巧妙地解決了超薄玻璃表面無法制作排氣管的工藝難題。此外，封排一體化技術可以簡化封接工藝，降低封接溫度，節省研制時間，保護氧化鎂薄膜，防止其暴露在空氣中受到污染，并且使研制出的顯示屏維持電壓可很快趨于穩定。超薄SMPDP主要封接步驟如下：把將前玻璃基板、蔭罩和涂覆封接框的后玻璃基板使用夾具固定后，固定好的超薄SMPDP放入真空室內，由使用機械泵對真空室進行預抽氣。然后打開和分子泵進行抽氣，同時加熱真空室對真空室抽氣，在溫度到達300 ℃左右，封接漿料即將融化前，充入純氖或一定比例的氖氙混合氣體，繼續加熱直至顯示屏封接完畢。

圖2 超薄SMPDP真空封排一體化系統

目前超薄SMPDP基板面積50 mm×50 mm，其中有效發光面積30 mm×30 mm，封接框自身寬度約為1.8 mm，高度為170 μm，蔭罩邊寬為30 mm，高度為150 μm，所充工作氣體為純氖，超薄SMPDP的尺寸示意圖如圖3。

圖3 超薄SMPDP尺寸示意圖

2 超薄SMPDP封接工藝

2.1 超薄SMPDP封接工藝流程

超薄SMPDP結構及采用的封接設備與傳統SMPDP有很大不同，因此其工藝流程也有所變動，超薄SMPDP所用的工藝步驟如圖4。在前基板玻璃上制作封接框，對封接框進行燒結，然后把前后基板放入真空蒸鍍箱蒸鍍氧化鎂，最后與經過清洗預燒后的蔭罩，形成三明治的組合，如圖3(b)，放入動態測試真空系統利用封排一體化技術封接。

圖4 超薄SMPDP工藝流程圖

2.2 超薄SMPDP特殊工藝研究

由于超薄玻璃非常薄，相對傳統PDP基板玻璃有很好的傳熱性，但也有在常溫下易碎，高溫下軟化嚴重等缺點。此外，利用封排一體化技術，低玻粉熔點在非大氣環境下熔點有顯著變化。因此超薄SMPDP屏與傳統SMPDP相比，除了工藝流程不同外，在許多方面還需要特殊的工藝處理，如蔭罩表面工藝、封接框制作、超薄SMPDP封接固定裝置、封接溫度曲線等。

2.2.1 蔭罩表面工藝研究

超薄SMPDP基板玻璃厚度僅50 μm，在高溫時嚴重軟化，蔭罩表面稍有不平，即會戳破基板玻璃形成裂點，如圖5所示。

圖5 基板玻璃裂點

這些裂點主要是由蔭罩表面毛刺引起，實驗發現毛刺分為以下三類：(1)簡單擦洗即可除去的毛刺(2)需高溫汽化消除的毛刺(3)高溫預燒后仍附著在蔭罩表面，但已經可以擦除的毛刺。根據上述情況，在封接之前，需增加蔭罩表面處理，具體處理流程圖如圖6所示。

圖6 蔭罩表面處理流程圖

實驗證明，按照以上處理方法，可以得到一塊平整超凈的蔭罩，可有效消除封接時的基板玻璃破裂現象，大大提高超薄SMPDP的研制成功率。

2.2.2 超薄SMPDP封接固定裝置

動態測試真空系統產生的震動會引起封接中的基板玻璃及蔭罩偏移，采用平整度很高的PD200玻璃夾在基板玻璃的外側。這樣可防止基板玻璃及蔭罩錯位，同時還可以施加一定壓力，有利于超薄玻璃與低玻粉浸潤，具體固定方法如圖7所示。

圖7 超薄SMPDP固定裝置

2.2.3 封接框制作工藝

封接框的尺寸參數對超薄SMPDP封接有重要影響。由Ansys 10.0軟件模擬[9-10]及實驗發現：(1)封接框四角由直角變成圓角，如圖3(a)所示，可減小封接框四角對其上方基板玻璃的應力，防止基板玻璃破裂；(2)蔭罩邊緣與封接框間隙越大，由于氣壓差的影響，顯示屏越容易破裂，如圖8所示；(3)蔭罩邊緣與封接框間隙越小，蔭罩產生的撐力越不利于低玻粉與超薄玻璃的粘合。經過反復試驗，封接框涂抹高度定為250 μm，經高溫燒結后封接框高度約為170 μm，蔭罩邊緣與封接框的間距為0.5 mm～1 mm。

圖8 間隙上方的裂痕

2.2.4 封接溫度曲線改進

本文在傳統PDP封接溫度曲線基礎上提出了符合超薄SMPDP封接的溫度曲線。由于低玻粉熔點是隨氣壓變化的，因此超薄SMPDP的封接曲線會隨所充入氣體壓強的不同而改變。現以常溫下氣壓為350 Torr純氖的超薄SMPDP所用的封接曲線為例，如圖9。

圖9 封接溫度曲線

相對于傳統PDP封接溫度曲線[11]，圖9做了如下改進：

(1)由于在真空下低玻粉熔點為330 ℃，所以充氣溫度設為300 ℃，一方面保證顯示屏內部在充氣前獲得較高的真空度，另一方面防止封接框過早熔化，影響工作氣體進入顯示屏[12-13]。(2)低玻粉在560 Torr氣壓下熔點為425 ℃，圖9在425 ℃保溫15 min，與傳統PDP封接溫度曲線中在450 ℃保溫有一定差別。(3)同時由于基板玻璃很薄，其表面可迅速均溫，超薄玻璃在高溫下又呈現一定的柔軟性，不容易破裂，因此封接完畢后降溫速率可以達4 ℃/min[14]。

在動態測試真空系統封接超薄SMPDP僅需4 h(加熱前抽真空還需要1.5 h)，相對傳統PDP封接工藝，封排一體化技術大幅度地減少了封接時間。

按照新的封接溫度曲線制備顯示屏，不僅可以節省時間，并且封接質量好，成功率接近80%，封接成功的超薄SMPDP如圖10。下圖是我們用2 塊條狀ITO玻璃作為電極，對超薄SMPDP進行老練，如圖11所示。由于所充氣體為純氖氣體，可看到超薄SMPDP呈明亮均勻的橙黃色。

圖10 封接成功的超薄SMPDP

圖11 點亮的超薄SMPDP

3 結論

超薄SMPDP由于其重量輕，厚度薄，工藝簡化受到關注。針對超薄SMPDP制備難度大，本文對其封接工藝進行了深入研究，特別在蔭罩處理，超薄SMPDP封接固定裝置，封接框制作，封接溫度曲線等方面有了很大進展。在超薄SMPDP封接過程中，對蔭罩的平整度和清潔度要求特別苛刻，本文在傳統蔭罩處理的基礎上增加了三個步驟，即清洗，真空預燒，再清洗，確保蔭罩十分整潔。封接框與蔭罩邊緣的間距應該在0.5 mm～1 mm之間，可避免氣壓差引起的破裂，同時還能減小蔭罩引起的撐力，有利于封接。超薄SMPDP的封接曲線是隨顯示屏所充入氣體壓強的不同而不同，因為低玻粉在不同氣壓下熔點有很大變化，所以要根據超薄SMPDP所需的氣壓來確定對應的封接溫度曲線。目前超薄SMPDP封接成功率接近80%，但超薄SMPDP研究還留有一些問題，例如在超薄SMPDP電極制作，亮度均勻性方面還需要進一步研究。

[ 1] Harm Tolner.FPD Technology Overview[ R] .SID' 04， Seminar M-1， 2004.

[ 2] 應根裕.平板顯示技術.北京：人民郵電出版社， 2004.

[ 3] 張雄.全彩色PDP設計理論的研究[ D] .東南大學電子科學與工程學院， 2003.

[ 4] 蒯秀琳.超薄PDP的研究及性能測試[ D] .碩士畢業論文，東南大學電子科學與工程學院， 2008.

[ 5] Doyeux H.A 23-inch Diagonal Color AC Plasma Display[ R].SID91， Anaheim(1991).

[ 6] 姜有燕.蔭罩式等離子體顯示屏單元放電特性的研究[ D]：[碩士學位論文].南京：東南大學電子工程系， 2007.

[ 7] Tu Yan， Wang Baoping， Zhang Xiong， etal.Investigation ofDischarge Characteristic of Shadow Mask PDP[ J] .IMID05， 2005：243-246.

[ 8] 朱振華.基于蔭罩式PDP新型十字掃描電極放大單元的研究[ J] .電子器件， 2009， 32(3)：492-496.

[ 9] 楊欣.超薄蔭罩式PDP放電單元玻璃基板形變分析[J].電子器件， 2009， 32(2)：249-253.

[ 10] Yang Xin， Tu Yan， Yang Lanlan.Finite Element Analysis of G lass Substrate Deformation in Ultra-Thin Shadow Mask PDP[ C] //ASID 09， 2009， 08-2.

[ 11] 胡文波.等離子顯示屏的封接工藝[ J] .真空電子技術， 1998.

[ 12] Kwon Sang jik， Lee Chang-ho， Sung JungHo.A Vacuum In-Line Sealing Technology for PDP Process Innovation， IDW 2000.

[ 13] Choi Seung-woo， Lee Yun-Hi.Development of AC-PDP Tubeless Packaging Method and Their Operating Characteristics， SID2001.

[ 14] 袁旦，儲開榮.場發射顯示器的基板形變分析[ J] .真空電子技術， 2006， 1：65-67.