飛兆半導體Dual CoolTM封裝滿足DC-DC設計對更高功率密度需求

隨著功率模塊、電信和服務器等DC-DC應用設備變得愈加空間緊湊，設計人員尋求更小的器件以應對其設計難題，而器件的熱性能是人們關注的考慮因素。

為了滿足高電流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飛兆半導體公司開發出用于MOSFET器件的Dual CoolTM封裝，Dual Cool封裝是采用嶄新封裝技術的頂部冷卻PQFN器件，可以通過封裝的頂部實現額外的功率耗散。

Dual Cool封裝具有外露的散熱塊，能夠顯著減小從結點到外殼頂部的熱阻。與標準PQFN封裝相比，Dual Cool封裝在配合散熱片使用時，可將功率耗散能力提高60%以上。此外，采用Dual Cool封裝的MOSFET通過使用飛兆半導體專有的PowerTrench工藝技術，能夠以較小的封裝尺寸實現更低的RDS（ON）和更高的負載電流。

不同于其他采用頂部冷卻的解決方案，這些器件提供有Power 33（3.3mm×3.3mm）和Power 56（5mm×6mm）Dual Cool封裝選項。Dual Cool封裝保持與行業標準PQFN相同的占位面積，可讓功率工程師快速驗證采用Dual Cool封裝的MOSFET器件，無須采用非標準封裝，即可獲得更佳的熱效率。（本刊通訊員）