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SF6斷路器開斷并聯(lián)電抗器的截流過電壓及其特性分析

2010-07-25 07:02:44孫秋芹李慶民劉洪順鄒振宇
電工技術(shù)學(xué)報 2010年2期
關(guān)鍵詞:模型

孫秋芹 李慶民 王 冠 劉洪順 鄒振宇

(1. 山東大學(xué)電氣工程學(xué)院 濟(jì)南 250061 2. 山東電力工程咨詢院 濟(jì)南 250100)

1 引言

并聯(lián)電抗器廣泛安裝于超、特高壓等級的輸電線路中,它能夠補(bǔ)償線路的對地充電功率,削弱輸電線路的電容效應(yīng),有效抑制工頻與操作過電壓。

目前超/特高壓電壓等級的斷路器多采用外能方式滅弧,利用這種斷路器分?jǐn)嚯娏鲿r,弧道中游離作用并不強(qiáng)烈,隨著電弧的急劇拉伸,弧阻增加,易發(fā)生電弧不穩(wěn)定現(xiàn)象,電流在到達(dá)零點(diǎn)之前可能發(fā)生強(qiáng)制熄弧,形成截流,產(chǎn)生嚴(yán)重的操作過電壓[1-6]。電抗器正常運(yùn)行時儲存一定的能量,一旦被切除,該能量將通過電抗器的等值入口電容釋放,因該電容值很小,故會激發(fā)出很高的過電壓,2002年我國新疆電網(wǎng)在開斷并聯(lián)電抗器時曾發(fā)生過相應(yīng)的爆炸事件[1]。

國內(nèi)外學(xué)者對開斷并聯(lián)電抗器過電壓進(jìn)行了大量研究。文獻(xiàn)[2]通過引入斷路器觸頭的分離速度,建立相應(yīng)的介質(zhì)絕緣強(qiáng)度函數(shù),給出了順利開斷并聯(lián)電抗器以及電弧重燃時負(fù)載側(cè)和電源側(cè)的過電壓波形。文獻(xiàn)[4]通過引入斷路器電弧模型及其介質(zhì)絕緣強(qiáng)度函數(shù),對并聯(lián)電抗器的開斷特性進(jìn)行了分析。文獻(xiàn)[5]給出了并聯(lián)電抗器的詳細(xì)模型,重點(diǎn)分析了開斷并聯(lián)電抗器時線圈匝間的過電壓情況,并與試驗(yàn)波形相對比,取得了較好的效果。此外,其他學(xué)者也開展了一些相關(guān)方面的研究[6-8]。上述研究主要集中在并聯(lián)電抗器中性點(diǎn)直接接地或不接地的情況, 而對并聯(lián)電抗器中性點(diǎn)經(jīng)小電抗接地關(guān)注較少。同時以往研究主要針對并聯(lián)電抗器在安裝現(xiàn)場的開斷情況, 而帶長線開斷并聯(lián)電抗器(切帶并聯(lián)電抗器的空載線路)也是一種有效的方法,值得關(guān)注。隨著超/特高壓輸電線路的迅速發(fā)展,中性點(diǎn)接小電抗以熄滅潛供電弧的補(bǔ)償方式將占據(jù)主導(dǎo)地位,必須給予重視。

本文首先分析了帶中性點(diǎn)小電抗的并聯(lián)電抗器的開斷過程和過電壓情況,闡明了斷路器開斷后拍頻振蕩產(chǎn)生的機(jī)理,并計(jì)算出不同工況下的拍頻振蕩頻率。結(jié)合某 750kV線路, 使用 ATP-EMTP軟件,通過引入較精確的 SF6斷路器電弧模型,詳細(xì)研究了并聯(lián)電抗器開斷過程中的電磁暫態(tài)特性,并將仿真與理論分析進(jìn)行了比較。

2 開斷并聯(lián)電抗器過電壓

2.1 過電壓分析

開斷并聯(lián)電抗器時,其單相等效電路如圖1所示。圖中Us為等效電源電壓,Ls為電源側(cè)等效電感,Cs為電源側(cè)等效電容,L為并聯(lián)電抗器電感,CL為并聯(lián)電抗器側(cè)對地電容,Lp和Cp為斷路器等效電感和電容。

設(shè)t=t0時斷路器觸頭分開,斷路器的截流值為Ich,此時電容CL上的電壓為U0;當(dāng)回路總磁場能全部轉(zhuǎn)化為電場能時,電容CL上的電壓最大為Um,且滿足

圖1 開斷并聯(lián)電抗器的單相等效電路Fig.1 Single-phase equivalent circuit for shunt reactor interrupting

以U0為基準(zhǔn)電壓,開斷并聯(lián)電抗器時產(chǎn)生的最大過電壓倍數(shù)K為

實(shí)際中對于帶鐵心的電抗器,由于鐵心及其銅線損耗,在磁能與電能的轉(zhuǎn)化過程中,部分磁能將會損失掉,為此可引入轉(zhuǎn)化磁能系數(shù)ηm,則式(2)變?yōu)?/p>

開斷時的過電壓倍數(shù)與并聯(lián)電抗器的種類、額定電壓、容量、結(jié)構(gòu)以及斷路器的種類有關(guān)。當(dāng)變電站近距離開斷并聯(lián)電抗器時,由于并聯(lián)電抗器的入口電容很小,其最大過電壓倍數(shù)很大,通常會超過電氣設(shè)備的絕緣水平。

并聯(lián)電抗器中性點(diǎn)帶小電抗時,由于斷路器動作時間不同期,三相開斷和截流時刻并不一致。首相高抗先被開斷后,中性點(diǎn)電壓將產(chǎn)生偏移而升高,此時的等效電路如圖2所示,電抗器線路側(cè)單相電壓有效值為Uφ,電抗器高壓臂的值為L,小電抗器的值為LN。

圖2 首相開斷后的等效電路Fig.2 Equivalent circuit after the first phase opening

則中性點(diǎn)n處的電壓Un為

式中

被開斷相電壓計(jì)算電路如圖 3所示,其中CL為電抗器對地電容。

圖3 單相開斷后過電壓計(jì)算電路Fig.3 Overvoltage calculation circuit after single-phase interrupting

設(shè)U0為首開相被開斷后瞬間的對地電壓值,由于中性點(diǎn)電壓偏移,則圖3中對應(yīng)的a點(diǎn)電壓升高為(1+k)U0。由電磁能量平衡,可知首開相的電壓方程為

考慮ηm后,式(6)變?yōu)?/p>

式中,Um為被開斷相出現(xiàn)的電壓峰值;K1為過電壓倍數(shù)。在一定參數(shù)范圍內(nèi),令ηm=1時(空心電抗器ηm≈1),過電壓倍數(shù)隨高抗和小電抗變化的軌跡如圖4所示。

圖4 不同電抗器參數(shù)下的過電壓倍數(shù)Fig.4 Scenario of the overvoltage vs.parameter variation

由圖4可以看出,在一定參數(shù)范圍內(nèi),首相開斷后的最大過電壓倍數(shù)隨中性點(diǎn)小電抗的增大而增加。當(dāng)帶長線開斷并聯(lián)電抗器時,并聯(lián)電抗器與線路電容構(gòu)成振蕩回路,CL大大增加,則對應(yīng)的過電壓倍數(shù)將會減小。

2.2 過電壓頻率特性分析

斷路器三相分閘開斷并聯(lián)電抗器后,并聯(lián)電抗器側(cè)構(gòu)成一個孤立的系統(tǒng),因并聯(lián)電抗器的電感和對地電容中儲存了大量能量,形成電磁能量轉(zhuǎn)換的振蕩回路。分析開斷電抗器時過電壓的振蕩頻率特性,可為研究斷路器的恢復(fù)電壓與重燃、線路的匝間縱向絕緣、電抗器參數(shù)的集膚效應(yīng)等提供參考依據(jù)。

文獻(xiàn)[6]中忽略相間電容耦合,給出了簡化的計(jì)算公式。當(dāng)近距離開斷并聯(lián)電抗器時,公式可近似成立;但當(dāng)帶長線開斷并聯(lián)電抗器時,相間耦合則不能忽略。并聯(lián)電抗器開斷后三相電感間通過電容耦合形成充放電回路, 其簡化原理圖如圖5所示。

圖5 三相并聯(lián)電抗器的電磁耦合Fig.5 Electromagnetic coupling circuit of the shunt reactor

圖5中La、Lb、Lc為三相并聯(lián)電抗器等效電感,Cag、Cbg、Ccg為三相對地電容,Cab、Cbc、Cac為相間耦合電容。若令Cab=Cbc=Cac=CΔ,La=Lb=Lc=L,Cag=Cbg=Ccg=C,通過求解回路方程,可推出電路中兩個主要自振頻率的計(jì)算公式為

圖6 并聯(lián)電抗器加小電抗的等效變換Fig.6 Equivalent circuit transformation of the four legged reactor

解回路方程得,并聯(lián)電抗器開斷后,電路中將存在兩個主要的自振頻率,其計(jì)算公式為

則此時電壓的拍頻振蕩頻率f為

計(jì)算表明,接中性點(diǎn)小電抗的并聯(lián)電抗器組開斷后,其過電壓的振蕩頻率低于對應(yīng)條件下不接中性點(diǎn)小電抗的情形。

參照文獻(xiàn)[3~5]中的數(shù)據(jù),令C=15.62nF,CΔ=0.236nF,在變電站近距離切并聯(lián)電抗器時,過電壓的拍頻振蕩頻率隨高抗和小電抗變化的曲線如圖7所示。

當(dāng)帶長線路開斷并聯(lián)電抗器時,令C=1.18μF,CΔ=0.107μF,則對應(yīng)的拍頻頻率隨高抗和小電抗變化的曲線如圖8所示。此時因CΔ和C大大增加,對應(yīng)的電路自振蕩頻率均大大減小,導(dǎo)致拍頻振蕩頻率減小。

圖7 近距離開斷并聯(lián)電抗器時的拍頻頻率Fig.7 Beat frequency of the oscillating overvoltage while the shunt reactor is interrupted at a short line distance

圖8 帶長線開斷并聯(lián)電抗器時的拍頻頻率Fig.8 Beat frequency of the oscillatory overvoltage while the shunt reactor is interrupted with a long transmission line

帶長線開斷并聯(lián)電抗器時,拍頻頻率隨著LN和L的增大而增大,但近距離切并聯(lián)電抗器時,情況則較為復(fù)雜。由于CΔ和C的值較小,同時考慮到鐵心元件中必然存在磁滯、渦流等損耗,電抗器側(cè)的實(shí)際過電壓多呈衰減的拍頻振蕩波形。

3 仿真研究

3.1 計(jì)算對象

基于某750kV輸電線路構(gòu)建了仿真模型,采用ATP-EMTP軟件,在輸電線路空載時計(jì)算得到了并聯(lián)電抗器開斷前后的過電壓情形。線路結(jié)構(gòu)如圖 9所示。其中,S和 R表示輸電線路的首、末端;N為并聯(lián)電抗器的中性點(diǎn),并聯(lián)電抗器高抗的補(bǔ)償度為90%。Q1和Q2為SF6斷路器,r和rN為電抗器高壓臂和小電抗的等效電阻值。電路正序參數(shù)為:R1=0.0133Ω/km,L1=0.347mH/km,C1=0.0138μF/km;零序參數(shù)為:R0=0.3216Ω/km;L0=2.65mH/km;C0=0.0098μF/km。

圖9 750kV輸電系統(tǒng)仿真圖Fig.9 Simulation model of the 750kV transmission system

開斷過程中電抗器側(cè)產(chǎn)生的過電壓頻率很高,特別是在近距離開斷電抗器時,導(dǎo)線和電抗器的電阻會因強(qiáng)烈的集膚效應(yīng)而增大。當(dāng)前考慮頻變效應(yīng)的處理方法主要有兩種:①仿真時采用考慮頻變的J. Marti線路模型;②通過預(yù)先的簡化計(jì)算,先獲得過電壓的大致振蕩頻率,然后直接計(jì)算該頻率下導(dǎo)線和電抗器的相關(guān)參數(shù)。第一種方法的處理結(jié)果相對準(zhǔn)確,但需要的計(jì)算步長較小,耗時較多;第二種方法較為簡便,一般情況下也能滿足計(jì)算精度要求[5]。本文采用第二種方法進(jìn)行計(jì)算,近距離開斷時,參數(shù)計(jì)算頻率為500Hz;帶長線開斷時,采用工頻頻率。

3.2 斷路器電弧模型

斷路器電弧是一個復(fù)雜的物理、化學(xué)過程。對一些難以實(shí)現(xiàn)或?qū)崿F(xiàn)起來代價太大的開斷實(shí)驗(yàn),通過引入電弧模型進(jìn)行計(jì)算,并使開斷過程的仿真更符合實(shí)際情況,其有效性在一些相關(guān)試驗(yàn)中得到了驗(yàn)證[2-5,7-8]。最早的電弧模型是Cassie模型和Mayr模型,其中Cassie模型主要適用于電流過零前的大電流階段,Mayr模型主要適用于零區(qū)小電流階段。以這兩種模型為基礎(chǔ),針對其固有不足,很多人對電弧模型進(jìn)行了改進(jìn)[10-14],陸續(xù)提出的電弧模型主要有:Habedank電弧模型、KEMA電弧模型、改進(jìn)的Mayr模型、Schavemaker電弧模型、Kopplin模型、Urbanek模型等[11]。各種電弧模型的適用范圍不同,本文在仿真中采用應(yīng)用較為廣泛的 Schwarz電弧模型,其中電弧散熱功率和時間常數(shù)為電弧電導(dǎo)的函數(shù),具體表達(dá)式為[11]

式中,u、i、g、P0、τ0分別為電弧電壓、電弧電流、電弧電導(dǎo)、散熱功率以及散熱時間常數(shù)。參照文獻(xiàn)中的數(shù)據(jù)[3-5,11-12],取P0=108W,τ0=6μs,a=0.15,b=1.8。

3.3 仿真結(jié)果

為開斷線路末端R處的并聯(lián)電抗器,采用兩種仿真方案,如圖9所示:①變電站近距離開斷,即打開斷路器Q2,直接開斷線路末端的并聯(lián)電抗器;②帶長線開斷并聯(lián)電抗器,即先打開 Q1,再打開Q2開斷末端的并聯(lián)電抗器。設(shè)斷路器在 0.1s時動作,兩種方案下的仿真波形如圖10~圖14所示。

表 不同 λ 下的過電壓幅值Tab. Peak overvoltages under different λ

由上表可知,隨著λ的增大,截流值增大,電抗器側(cè)的過電壓幅值快速上升。

當(dāng)λ=10×104時(圖10~圖14均采用此條件),同一截流水平下,分別采用理想開關(guān)和電弧模型,在近距離開斷電抗器時,得到電抗器側(cè)的過電壓波形如圖10所示。

圖10 電弧模型和理想開關(guān)下電抗器側(cè)的過電壓Fig.10 Overvoltages along the shunt reactor under arc model and ideal switch

由圖10可知,兩種模型下的過電壓仿真波形存在較大差別,實(shí)際的開關(guān)電弧相當(dāng)于一個非線性電阻,它將吸收一部分能量,使得過電壓的幅值減小,引入電弧模型能更真實(shí)地反應(yīng)實(shí)際的開斷過程。

圖11 電弧電阻Fig.11 Arc resistance

圖12給出了開斷并聯(lián)電抗器時,其高壓臂的過電壓波形(圖 12~圖 14均將電弧特性考慮在內(nèi))。

圖12 線路末端電壓Fig.12 Overvoltages at line terminal

由圖12可知,兩種方案切并聯(lián)電抗器時,都會產(chǎn)生明顯的拍頻振蕩現(xiàn)象。帶長線切時,電抗器通過輸電線路釋放一部分能量,電抗器側(cè)的過電壓較低,拍頻頻率也較小,但電壓的衰減速度較慢。近距離切并聯(lián)電抗器時,因?qū)Φ仉娙菪。^電壓幅值較大,拍頻頻率較高,同時電壓衰減也較快。

對近距離切時的線路末端電壓(如圖12b所示)進(jìn)行傅里葉分析可知,電壓振蕩的兩個主要頻率分別為 520Hz和 420Hz,則對應(yīng)的拍頻振蕩頻率為100Hz。采用式(6)與式(7)進(jìn)行計(jì)算,得到的振蕩頻率分別為528Hz和425Hz,則拍頻振蕩頻率為103Hz。仿真結(jié)果與理論分析結(jié)果非常接近。

在并聯(lián)電抗器開斷過程中,并聯(lián)電抗器中性點(diǎn)的電壓變化波形如圖13所示。

圖13 末端并聯(lián)電抗器的中性點(diǎn)電壓Fig.13 Neutral point voltage of the shunt reactor at line terminal

由圖13可知,相同條件下,帶長線開斷時,對應(yīng)的電抗器中性點(diǎn)電壓要遠(yuǎn)小于近距離開斷的情況。近距離開斷時,需考慮在中性點(diǎn)安裝適當(dāng)避雷器以抑制過電壓。

并聯(lián)電抗器開斷后,斷路器觸頭間的恢復(fù)電壓波形如圖14所示。

圖14 斷路器的瞬態(tài)恢復(fù)電壓Fig.14 Transient recovery voltage of the circuit breaker

斷路器觸頭間的恢復(fù)電壓波形表現(xiàn)為不同的瞬態(tài)特性。當(dāng)帶長線開斷并聯(lián)電抗器時,瞬態(tài)恢復(fù)電壓波呈拍頻振蕩,衰減較慢,觸頭間恢復(fù)電壓及其上升率較小,對應(yīng)的斷路器重燃概率小;當(dāng)近距離開斷時,觸頭間恢復(fù)電壓及其上升率很大,衰減也快,很快變?yōu)榉€(wěn)定的正弦波,但斷路器重燃概率大,時易產(chǎn)生較大的重燃過電壓。

4 結(jié)論

通過建立等效電路模型,從理論上分析了帶長線和近距離開斷并聯(lián)電抗器時的過電壓及其頻率特性。基于實(shí)際的750kV輸電線路參數(shù),通過引入SF6斷路器的開關(guān)電弧模型,進(jìn)行了仿真計(jì)算和比較。

(1)并聯(lián)電抗器開斷時易產(chǎn)生截流,形成的過電壓幅值主要取決于截斷電流水平。隨著截斷電流的增加,過電壓呈非線性增長。

(2)并聯(lián)電抗器開斷時,會產(chǎn)生拍頻式振蕩電壓,其特性影響斷路器的恢復(fù)電壓與重燃、線路的匝間縱向絕緣、電抗器的參數(shù)等,拍頻振蕩頻率與線路的電容密切相關(guān)。

(3)帶長線開斷并聯(lián)電抗器是一種有效抑制開斷過電壓的方法,電抗器通過輸電線路放電而釋放能量,能減小并聯(lián)電抗器側(cè)的過電壓。因相對地電容較大,振蕩頻率相對較小,電壓衰減較慢。

(4)近距離開斷并聯(lián)電抗器時,其中性點(diǎn)可能會產(chǎn)生幅值很高的過電壓,需考慮在小電抗附近安裝避雷器。與此同時,斷路器觸頭間的瞬態(tài)恢復(fù)電壓及其上升率很高,易引起斷路器的重燃。可考慮采用相控斷路器以減小重燃率,或考慮安裝并聯(lián)開斷電阻,以減小并聯(lián)電抗器開斷時的過電壓。

(5)比較理想的補(bǔ)償措施是研制智能化的連續(xù)可控電抗器,以適應(yīng)不同類型的線路和運(yùn)行工況,減小斷路器開斷并聯(lián)電抗器的操作,但在超/特高壓等級獲得實(shí)用尚有待于技術(shù)進(jìn)步。

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