3-bit-per-cell NAND閃存

美光科技公司 （Micron Technology Inc.）和英特爾公司 （Intel Corporation）聯合推出25 nm制程的3-bit-per-cell（3 bpc）NAND閃存，該NAND設備擁有業界最大的容量和最小的尺寸。兩家公司已將初始產品樣品送到部分客戶手中。美光與英特爾預計在今年年底時量產該產品。

與競爭對手 USB、SD（Secure Digital）閃存卡和消費電子產品相比，新推出的 25 nm 64 Gb 3 bpc存儲設備的性價比更高且存儲量更大。閃存主要用于存儲數據、照片或其它多媒體，如計算機應用和數碼設備（數碼相機、便攜式媒體播放器、便攜式數碼攝像機和各類個人電腦）之間的數據捕捉和傳輸。這些市場一直處在以更低成本提供更高存儲容量產品的壓力之下。由雙方合資組建的 NAND閃存公司IM Flash Technologies（簡稱 IMFT）所開發的這項 64 Gb（或8 GB）25 nm光刻技術，可提供每單位3比特的信息容量，而傳統技術只能提供1比特（單層存儲單元）或2比特（多層存儲單元）。業內也將3bpc稱為三層存儲單元（triple-level cell，簡稱 TLC）。

該設備的尺寸與美光和英特爾容量相同的 25 nm MLC（多層存儲單元）相比，體積要小20%以上，是目前市場上最小的單個8 GB設備。從產品固有的緊湊型設計上看，小尺寸閃存對消費終端產品閃存卡顯得尤為重要。芯片面積為131 mm2，符合行業標準 TSOP（薄型小尺寸封裝）封裝。