宏力半導體發布先進的0.18μm45 V LDMOS電源管理制程

上海宏力半導體制造有限公司 (宏力半導體)專注于差異化技術的半導體制造業領先，發布基于其穩定的0.18μm邏輯平臺的先進45 V LDMOS電源管理制程。

與傳統線寬相比，0.18μm邏輯平臺使得更高集成度的數字電路成為可能，從而可以適用于SoC和智能電源。宏力半導體成熟的0.18μm邏輯制程配備了具有高精準模型的完整設計工具包，極大地縮短了產品的設計周期，加速客戶產品的投產。此外，該0.18μm邏輯制程還分別提供了通用邏輯和低功耗邏輯平臺供客戶選擇。

通過優化器件的布局、注入和熱處理過程等特定步驟減小了Rdson(導通電阻)，45 V NMOS和PMOS的導通電阻分別約為70 mΩomm2和160 mΩomm2。導通電阻的減小可以使電源芯片功率驅動部分的面積縮減10%~40%，客戶因此可以為電源管理應用提供更加有效的解決方案。

除此以外，模塊化制程也更加靈活。1.8 V的器件可以易于添加或者移除，可適用于客戶的特殊要求。除了標準的5 V器件外，根據客戶的特定設計，3.3 V也可以用來備選。其他諸如M iM，HR和Bipolar等器件也可供客戶選擇。

關于宏力半導體

宏力半導體是一家專業半導體代工廠，致力于提供高品質服務和先進增值技術，包括嵌入式非揮發性記憶體、高壓、低漏電工藝等。公司于2003年投產，一直是業內成長最快的公司之一。公司位于上海浦東張江高科技園區，員工超過1,600人。上海聯和投資有限公司、香港長江實業及和記黃埔是宏力半導體的主要投資方。其他主要投資方還包括美國超捷，日本三洋，及私募資金湛思國際和UCL Asia。