戴麗霞,馬鐵華,劉雙峰
(中北大學 儀 器科學與動態測試教育部重點實驗室,山西 太 原 0 30051)
電容式傳感器已廣泛應用于工業、醫學、軍事等領城。但目前大部分電容測量方法集成化水平低、精度低,因而對電容特別是對微小電容的精確測量始終是一個很重要的內容。振蕩法電路結構簡單、抗干擾能力差,板間內電容影響測量結果[1];電橋法利用電橋平衡原理測量電容,測量結果受橋臂電容性能影響較大[1]。本文用到美國Microchip公司PIC16LF874單片機,該單片機采用RISC精簡指令集、哈佛總線結構、流水線指令方式,具有抗干擾能力強、功耗低、高性能、價格低等特性。
PIC16系列單片機采用精簡指令集(Reduced Instruction Set Computer,RISC)結構,突破了傳統單片機對PC機在結構上存在的自然依賴性;加上哈佛總線的存儲器結構、兩級流水線指令結構、單周期指令等技術,從而在單片機硬件結構上獨辟蹊徑,大大提高了系統運行的效率。除此之外,針對單片機機應用的特點,從功耗、驅動能力、外圍模塊設計等方面,PIC單片機也有一些獨到之處,從而使得PIC成為一款方便實用的高性價比的單片機[2]。
PIC16LF874系列單片機包括一系列不同型號的器件。主要特點有:
1)精簡指令集技術PIC指令系統是專門根據小型機特點設計的,力求每一條指令達到更高的效率,減少指令功能的重復。高中低檔的門PIC單片機指令數分別為58條、35條和33條。這就帶來了兩方面的好處,一方面可以使代碼的利用率大大提高,有利于提高執行速度,另一方面給用戶學習、記憶和應用帶來了極大的好處,編程和調試相對就更加容易,而且同樣的功能所需的編碼減少,節約了開發時間。
2)哈佛(Harvard)總線結構哈佛結構是程序存儲器和數據存儲器獨立編址,即兩者位于不同的物理空間。PIC系列單片機不僅采用哈佛體系結構,而且采用哈佛總線結構,從而充分發揮了哈佛結構的潛在優勢,大大提升了系統的運行效率和數據可靠性。
3)單字節指令單字節指令對單片機系統是革新性的變化。高中低檔的PIC單片機的指令位數分別為16位、14位、12位。ROM和RAM的尋址相對獨立,所有的指令實現了單字節化,不僅使數據的存取更加安全,其運行速度也得到了顯著的提高。
4)兩級流水線指令結構由于采用了哈佛總線結構,在器件內部將數據總線和指令總線分離,并且采用了不同的總線寬度。當一條指令被執行時,下一條指令同時被取出,使得在每個時鐘周期可以獲得更高的效率。
5)寄存器組結構PIC的所有寄存器,包括I/O端口、定時器和程序計數器等都采用RAM結構形式,并且只需要一個指令周期就可以完成訪問和操作。
6)一次性可編程(OTP)技術OTP可以實現產品上市零等待(Zero time to market),并且可以根據用戶定制,滿足特定需要。產品定制可以顯著提高產品的生命周期,增強產品的市場競爭力。
7)功耗低供電電壓為2.0~5.5 V,當使用4 MHz晶振,供電電壓為3 V時,耗電電流典型值不超過6 mA:當用32 kHz晶振,供電電壓力3 V時,耗電電流典型值為20 mA,睡眠模式耗電電流更是低于1 μA。
8)品種齊全、方便選擇PIC系列單片機目前已形成具有高、中、低3檔共50多種型號的龐大家族,功能靈活多樣,能適應多種應用場合的不同需要。
電容測量模塊總體設計原理框圖如圖1所示,包括電源管理電路、PIC16LF874單片機、電容式傳感器、信號調理電路、PS021電容數字轉化器以及與計算機連接的接口電路[1]。

圖1 電容測量模塊原理圖
電容測量模塊工作原理為:電容式傳感器輸出微弱的電容信號,電容信號通過信號調理電路,進入PS021型電容數字轉換器,該器件的測量電容測量范圍從0到幾十nF(無限制),經過器件內部轉換,通過對PS021內部寄存器的設置,得到需要的值;通過SPI把數據傳送到PIC16LF874單片機,測得的數據再通過單片機異步串行通信接口USART送到上位機(計算機),最后由上位機應用程序來顯示測量結果以及保存測試數據。
本測量電路需要控制器件來控制數據的讀取和寫入,選用結構簡單,功能強大,并且兼容SPI串行接口的PIC16LF874單片機。由于PS021的外圍接口是SPI,因此單片機能很好的控制PS021工作,同時測量數據可以通過USART串行接口送入到上位機中[3]。單片機的連接如圖2所示,PS021的連接圖如圖3所示。

圖2 PIC16LF874單片機的連線

圖3 PS021測量電容連線
基于PS021設計的應用軟件包括檢測、控制、數據處理、數據庫管理和系統界面等程序。在程序運行速度和存儲容量許可的條件下,盡量用軟件實現傳統儀器系統的硬件功能,簡化硬件配置。此外,界面是測試系統和虛擬儀器的“窗口”,是系統顯示功能信息的主要途徑。軟件設計不僅要實現功能,而且要界面美觀。在確定測試系統的硬件平臺后,關鍵是選擇合適的軟件開發工具編寫相應的應用軟件。以圖形化編程語言開發該測試模塊。該開發環境能提供一個集成的開發環境,與儀器硬件連接方便,具有良好的用戶界面。根據上位機應用程序設計的原理,得到測試系統的軟件,通過在軟件的主界面設置一些參數,硬件電路和上位機相連,就能顯示測量結果。測量結果在數據顯示界面顯示[5],如圖4所示。

圖4 測量數據顯示界面
運用上述軟件測量。在測量之前,必須對測量系統進行標定,標定時PS021要求參考電容Cref與被測電容Cmeas在同一電容值范圍,即確保Cmeas/Cref比率不會超過25%(PS021的極限值)。參考電容是一個非常重要的部分,對于測量的質量以及測量的溫度穩定性有直接的影響。推薦的電容材料:CFCAP(太陽誘電Taiyo Yuden公司的多層陶瓷電容)系列,COG或者NPO陶瓷電容[6]。放電電阻Rdis與放電時間密切相關,放電時間τ=0.7R(C+20 pF),時間常數τ范圍為2~10 μs(推薦5 μs)。根據公式計算之放電電阻阻值。
試驗中,分別選取1、2、3、5.1、6.8、8.2、9.1、12、13、15、16.5、18 pF的固定電容作為被測電容。根據被測電容的范圍確定參考電容的大小,然后根據被測電容和參考電容值,并結合放電時間來確定放電電阻阻值,最后選擇適當的測量模式進行測量。在標定好的系統下,在參考端和被測端分別接一只參考電容,此時在數據顯示界面顯示的值為參考電容值以及寄生電容值的和(圖3中Sensor 1顯示的數據);然后在被測端參考電容的基礎上再并聯被測電容,此時測得的數據為被測電容值、參考電容值以及寄生電容值的總和,以上兩步所測值相減就是被測的電容值,最后得到的被測電容值統計如表1所示。

表1 被測電容標稱值與測量值的比較
表1反映了被測電容測量值和標稱值之間的相對誤差,同時也得知被測電容電容值越大,測量值和標稱值相對誤差越小。由于被測電容受到環境溫度、焊錫量多少以及被測電容質量等因素的影響,存在一定的誤差。通過多次測量進行平均,以獲取更穩定的電容值。在標定好的系統下,對固定電容進行測量來驗證測量模塊的精確度,測量值和標稱值非常接近,可認為被測電容標稱值誤差較小,進一步得知電容測量模塊測量精度較高。
PIC16LF874單片機能夠很好的控制電容測量模塊,對研究電容式傳感器有很好的促進作用,該單片機簡化了電路設計,使測量結果達到較高的精度;同時這種測量模塊可以減小電路板的體積,從而減小整個裝置的體積;大大簡化了電路設計過程、降低產品的開發難度、對加速產品的研制、降低生產成本具有非常重要的意義。實驗結果證明,此測量模塊具有較好的實用性。
[1]陳濤,楊軍峰.基于RISC-SOC唯電容測量模塊的研制[J].微計算機信息,2008(7):176-178.
[2]Microchip.PIC16LF874 Datasheet[EB/OL].2006.http://ww1.microchip.com/downloads/en/DeviceDoc/30292c.pdf.
[3]趙霞,于曉洋,陳德運.電容層析成像系統的電容測量電路[J].電測與儀表,2002(1):22-25。
[4]WEMBE TAFO EVARISTE.Design and simulation of charge sensitive preamplifier with CMOS FET implemented as feedback capacitor C_(fp)[J].Nuclear Science and Techniques,2008(4):25-28.
[5]Acam.PS021 Datasheet[EB/OL].2006.http://www.acam.de/fileadmin/Download/pdf/others/DB_PS021_CAP_cn.pdf.
[6]馬鐵華.存儲測試技術的發展與應用及特種傳感器技術研究[D].北京:北京理工大學,1999.