Koshida
Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures
2009
Hardback
ISBN9780387786889
Koshida著
在納米尺度,半導體器件將會呈現出不同于宏觀尺度的光學、電學性能,充分利用這些性能可以制備很多具有特殊用途的器件。本書分別介紹了硅納米晶及其納米結構在光電器件、電子器件及功能器件等三方面的應用。
本書共11章,1.介紹了富硅介質在有源光電器件中的應用。本章比較了富硅氧化物和富硅氮化物在晶體結構、發光效應和發光效率的區別,認為發光效應及效率主要來自硅納米晶,并指出硅納米晶結構在有源光電器件中的重要作用;2.硅納米結構的場致發光器件,介紹了多空納米硅、富硅氧化物或氮化物、硅超晶格等硅結構,分析了硅納米晶結構場致發光器件中的作用,硅納米晶作為激發物而不是發光物質;3.介紹了si/sio2超晶格結構的光學性能、制備過程和采用的技術以及它的發展前景;4.首先介紹了納米硅結構在注入式激光器設計中的作用,然后進行了實驗分析得到了大量的數據,最后指出了納米硅在激光器制造中的應用前景;5.介紹了硅單電子器件,這種器件可以對單電子進行控制,具有優越的性能,應用前景很廣,目前比較典型的是應用在存儲和邏輯器件上;6.spin-based 硅晶體管,分別介紹了幾種新型的硅晶體管及其性質;7.首先從納米尺度分析了電子在硅納米晶的傳輸特性,然后介紹了電子在硅納米晶陣列上的傳輸特性;8.首先介紹了硅納米晶永久性存儲器的發展歷史,分析了將自上而下和自下而上……