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功率器件變革創(chuàng)新

2008-12-31 00:00:00張國(guó)斌
電子產(chǎn)品世界 2008年7期

環(huán)境污染、溫室效應(yīng)、不可再生能源日趨枯竭……這些日益威脅人類生存的難題已經(jīng)使全球有識(shí)之士認(rèn)識(shí)到節(jié)能減排提高能效是未來(lái)科學(xué)技術(shù)活動(dòng)一項(xiàng)長(zhǎng)期的任務(wù)。如何應(yīng)對(duì)這項(xiàng)挑戰(zhàn)?各個(gè)半導(dǎo)體紛紛從半導(dǎo)體器件入手,幫助系統(tǒng)公司提升電源效率,這方面,英飛凌近年來(lái)動(dòng)作頻頻,近日,英飛凌公司高調(diào)發(fā)布其最新的OptiMOS 3系列低壓MOSFET,并詳細(xì)講解了如何利用創(chuàng)新的MOSFET來(lái)提升電源系統(tǒng)效率。

全新OptiMOS 3系列可提供出優(yōu)良的通態(tài)電阻,OptiMOS 3 40V系列采用SuperSO 8封裝具備最低1.8mΩ的通態(tài)電阻,OptiMOS 3 60V采用SuperSO 8封裝具備最低2.8mΩ的通態(tài)電阻,OptiMOS 3 80V采用SuperSO 8封裝具備最低4.7mΩ的通態(tài)電阻,與最接近的競(jìng)爭(zhēng)性產(chǎn)品相比,通態(tài)電阻降幅高達(dá)50%,為業(yè)界樹(shù)立了新標(biāo)桿。

OptiMOS 3 40V、60V和80V產(chǎn)品適用于需要高效率和功率密度的功率轉(zhuǎn)換和管理應(yīng)用,包括眾多產(chǎn)品的SMPS(開(kāi)關(guān)模式電源)、DC/DC轉(zhuǎn)換器和直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等。這些產(chǎn)品包括計(jì)算機(jī)、家用電器、小型電動(dòng)車、工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)、電信設(shè)備和電動(dòng)工具、電動(dòng)剪草機(jī)和風(fēng)扇等消費(fèi)類電子設(shè)備。

去年年底,英飛凌獲得了IR公司的DirectFET封裝技術(shù)授權(quán),但是由于目前主要是IR提供封裝,所以采用DirectFET封裝(英飛凌稱為CanPAK封裝)的OptiMOS3器件還不多,隨著英飛凌馬來(lái)西亞新封裝廠的落成,未來(lái)采用CanPAK封裝的器件會(huì)大量面市,他透露目前也有其他廠商獲得了IR公司的DirectFET封裝授權(quán),所以未來(lái)采用DirectFET。封裝將會(huì)增多,將擺脫以前僅有一家公司供貨的局面,因此,該類封裝應(yīng)用將走熱。

Vishay于深圳推廣新產(chǎn)品和新技術(shù)

5月27日,Vishay公司在深圳舉行亞太區(qū)媒體交流會(huì)。會(huì)上,Vishay市場(chǎng)傳訊部門全球網(wǎng)絡(luò)市場(chǎng)總監(jiān)Craig Hunter介紹了公司發(fā)展?fàn)顩r。Vishay亞太區(qū)鉭電容器/MLCC部亞太區(qū)市場(chǎng)高級(jí)總監(jiān)SongHee Lau,電阻/電感部門亞太市場(chǎng)高級(jí)總監(jiān)Victor Goh,分別對(duì)Vishay鉭電容器系列及其Tantamout器件在“消除無(wú)線調(diào)制解調(diào)器設(shè)計(jì)中的PCMCIA功率限制”上的應(yīng)用,和MELF電阻器及超薄功率電感器進(jìn)行了全面闡述。

Vishay功率器件部門亞太區(qū)市場(chǎng)資深經(jīng)理Vincent Tan介紹了全球第一款200V TMBS(溝道式MOS勢(shì)磊肖特基)整流器所采用的新技術(shù)是如何克服高正向電壓和高開(kāi)關(guān)損耗的弱點(diǎn),并介紹了PowerBridge整流器。Siliconix部門高級(jí)應(yīng)用工程師Sean Wu詳解了功率MOSFET的產(chǎn)品組合、技術(shù)創(chuàng)新IC工藝以及IBC PWM控制器,指出為了滿足電信和數(shù)據(jù)通信、路由器和服務(wù)器等領(lǐng)域電源擴(kuò)容的需要,在IBC PWM控制器中集成高側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器可以進(jìn)一步降低成本。

據(jù)介紹,目前Vishay的產(chǎn)品組合包括半導(dǎo)體和無(wú)源元件兩大產(chǎn)品線。半導(dǎo)體器件組合包括MOSFET、大功率二極管、集成電路、模塊、光電器件、整流器、RF晶體管、小信號(hào)二極管、可控硅、齊納和抑制二極管;無(wú)源元件組合包括電容器、電感器、基于應(yīng)變計(jì)的傳感器以及壓力分析系統(tǒng)。

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