鋁襯底微等離子體陣列的制作與光電特性測量
2008-04-12 00:00:00孟令國梁志虎劉純亮梁海鋒張小蕓
西安交通大學學報 2008年8期
摘要：在鋁襯底上采用光刻工藝制作了帶有氧化銦錫(ITO)透明電極的微等離子體陣列，實驗研究了該微等離子體陣列在30～100kPa氖氣中的放電特性和發光特性。不同微腔尺寸的微等離子體陣列實驗結果表明，對于微腔直徑為150μm的器件，擊穿電壓隨著工作氣壓的升高先下降后上升，并且在53.2kPa時達到最小值212V。通過對微腔直徑為50μm和30μm器件的擊穿電壓比較發現，在氣壓較低時，微腔尺寸大的器件更容易擊穿，當氣壓較高時，微腔尺寸小的器件更容易擊穿，并且微腔尺寸小的器件隨著氣壓的升高擊穿電壓下降得更快。與目前商業等離子體顯示器件(PDP)的擊穿電壓相比，微腔器件的擊穿電壓更低，而且在高氣壓下，采用更小的微腔作為PDP的顯示單元，可以提高PDP的分辨率。
關鍵詞：微等離子體陣列；微腔放電；鋁襯底；擊穿電壓
中圖分類號：TN141.5 文獻標志碼：A 文章編號：0253—987X(2008)08—0982—04
