新材料技術領域“大尺寸超高純鋁靶材的制造技術”重點項目申請

1．項目名稱

大尺寸超高純鋁靶材的制造技術

2．項目主要研究內容

（1）超高純度鋁原料的制備技術。針對大規模集成電路制造用及TFT-LCD制造用超高純鋁及鋁合金靶材的要求，開展化學純度99.999％－99.9995%的超高純鋁精煉提純技術研究。

（2）進行大型鋁及鋁合金靶材的形變加工成型與微觀組織/織構控制技術研究，掌握大尺寸坯料的熔煉鑄造、大尺寸板材形變加工及熱處理等關鍵技術。

（3）開發大型靶材的精密機械加工技術，以及靶材與背板的表面處理與聯結的關鍵技術，實現靶材與背板的可靠焊接。

重點資助連續偏析提純、真空低偏析鑄造、精密變形加工及高平直度精密機加工等先進技術的研究開發。優先資助具有自主知識產權、產學研結合優勢及一定產業基礎的項目。

3．項目主要考核指標

（1）超高純Al原材料：在分析40個以上雜質元素的基礎上，化學純度達到99.999％~99.9995%。其中要求：Na+ K+ Li ≤ 0.1 ppm，U+Th ≤ 1 ppb，其它雜質元素總量 ≤ 5 ppm，氣體元素C、N、O、H2、S等滿足現有電子國標要求。

（2）集成電路互連線制造用超高純鋁/鋁合金靶材： 超高純鋁/鋁合金鑄錠：Na+ K+ Li ≤0.1 ppm，U+Th ≤1 ppb，除合金元素外其它雜質元素總量≤5 ppm，氣體元素C、N、O、H2、S等滿足現有電子國標要求；大尺寸(直徑>180mm)鑄錠的鑄造缺陷率≤0.2%；靶材直徑≥380mm；超高純鋁靶材晶粒尺寸≤200μm；超高純鋁合金靶材晶粒尺寸≤100μm、第二相尺寸≤0.5μm；靶材加工精度達到尺寸公差±0.1mm，表面粗糙度0.8μm；與背板焊接結合率≥98%，局部最大缺陷尺寸≤2％；靶材表面清潔度符合電子級要求。

（3）薄膜液晶顯示器用超高純Al靶：超高純鋁鑄錠：Na+ K+ Li ≤0.2 ppm，U+Th ≤1 ppb，其它雜質元素總量≤5 ppm，氣體元素C、N、O、H2、S等滿足現有電子國標要求；大尺寸（直徑>180mm）鑄錠的鑄造缺陷率≤0.2%； 靶材長度≥1700mm，寬度≥1200mm；靶材晶粒尺寸≤300μm，晶粒取向以（200）面織構為主；靶材加工精度達到尺寸公差±0.2mm，表面粗糙度0.8μm；與背板焊接結合率≥98%，局部最大缺陷尺寸≤2％；靶材表面清潔度符合電子級要求。