半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新挑戰(zhàn)

之前推動(dòng)半導(dǎo)體工業(yè)進(jìn)步是兩個(gè)輪子，一個(gè)是特征尺寸不斷地縮小，另一個(gè)是硅片直徑擴(kuò)大，而且總是以縮小尺寸為優(yōu)先。但是，CMOS技術(shù)中的SiO₂基柵介質(zhì)在經(jīng)過近40年的不斷等比縮小之后，到2002年左右終于達(dá)到了極限，即只有1.2納米，5個(gè)硅原子厚度。如果再繼續(xù)縮小，將導(dǎo)致漏電流迅速增大。這也就是為什么英特爾之前一直推崇CPU以主頻高低來分擋，而至奔騰4主頻達(dá)4GHz后放棄的原因。所以盡管工業(yè)界對(duì)于45納米是否一定要采用高k介質(zhì)及金屬柵工藝，尚未完全統(tǒng)一認(rèn)識(shí)，但是下一步走材料創(chuàng)新是必由之路己達(dá)共識(shí)。近期英特爾公司首先在45納米工藝中采用高k及金屬柵工藝的成功，尤如為通向32及22納米工藝架起一座橋梁，具有里程碑的意義。歸納起來，如果大家還堅(jiān)信每兩年工藝制程會(huì)跨上一個(gè)臺(tái)階，那半導(dǎo)體工業(yè)于09年時(shí)32納米，及2011年時(shí)22納米，再往下可能已很難準(zhǔn)確預(yù)言。未來將面臨高k材料及金屬柵及光刻技術(shù)的兩方面挑戰(zhàn)。未來全球半導(dǎo)體業(yè)將形成微處理器，存儲(chǔ)器及代工加fabless三足鼎立局面。尤其是存儲(chǔ)器的超級(jí)大廠(月產(chǎn)12英寸硅片達(dá)15萬片，投資達(dá)50億美元以上)會(huì)盛行。

下一步PC及手機(jī)仍是半導(dǎo)體業(yè)中兩個(gè)最大的消費(fèi)市場。據(jù)預(yù)測，全球低價(jià)PC在未來5年中可能有10億臺(tái)的增量；手機(jī)在新興市場的中國、印度、俄羅斯及巴西也有每年超過兩位數(shù)以上的增長。未來無線及節(jié)能產(chǎn)品將成為兩大熱點(diǎn)，接下來有可能是涉及人健康的巨大的醫(yī)療電子產(chǎn)品市場。可以相信，電子產(chǎn)品中半導(dǎo)體的含量會(huì)越來越來越高。因而，放在工業(yè)界面前的任務(wù)，繼續(xù)擴(kuò)大半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍。讓新產(chǎn)品的性價(jià)比，為消費(fèi)者吸引而產(chǎn)生購買欲望。