高Ｋ值電介質金屬柵極技術

IBM在半導體技術領域一直都扮演著領導者的角色，包括AMD、特許半導體、飛思卡爾、英飛凌、三星等半導體廠商都圍繞在IBM周圍，共同開發新一代半導體技術，如AMD所用的65納米以及將于2008年引入的45納米技術都主要出自IBM之手。在2007年的12月份，IBM又接著宣布高K值電介質金屬柵極(High－K Metal Gate)材料技術研發成功，并將于2009年下半年投入到32納米工藝中，屆時AMD等合作伙伴將從新技術中明顯受益。