ＩＢＭ助ＡＭＤ進軍４５納米等

IBM與AMD近日描述了在45納米微處理器制程應用程序方面，沉浸光刻技術的使用、超低介電值的金屬層間介電層以及多項晶體管應變加強等技術。AMO與，IBM預計第一批使用沉浸光刻技術與超低介電值金屬層間介電層的45納米產品，將在2008年中面世。AMD與，IBM在晶體管應變技術上持續加強開發，促使晶體管效能不斷提升，同時克服了整個業界在升級到45納米制程技術時所面臨的幾何相關尺寸問題。