ＭＲＡＭ：內(nèi)存的新潮流（上）
2007-01-01 00:00:00ＨａｒｌａｎＭｃＧｈａｎ
電子產(chǎn)品世界 2007年1期
摘要：Freescale運(yùn)用自旋電子技術(shù)制作了新的非易失性RAM，本文對(duì)此進(jìn)行了詳細(xì)介紹。
關(guān)鍵詞：MRAM；自旋電子；位線(xiàn)；字線(xiàn)
摘要：Freescale運(yùn)用自旋電子技術(shù)制作了新的非易失性RAM，本文對(duì)此進(jìn)行了詳細(xì)介紹。
關(guān)鍵詞：MRAM；自旋電子；位線(xiàn)；字線(xiàn)
