主板供電全接觸——內(nèi)存、顯卡供電

內(nèi)存供電部分通常設(shè)計在內(nèi)存插槽的附近，由電容、電感線圈、場效應(yīng)管三部分組成。主流DDR和DDR2內(nèi)存需要2．5V的核心電壓和3．3V的輸入輸出(I／O)電壓兩種電壓供應(yīng)。縮水主板會省略掉電路當(dāng)中的電感線圈，只保留場效應(yīng)管供電。如果是兩條內(nèi)存插槽的主板，有時還會采用主板和電源同時供電的設(shè)計方案，這種情況下對主機電源的要求會更高。擁有完整的電容、電感線圈、場效應(yīng)管三個部分的內(nèi)存供電系統(tǒng)也被稱為獨立內(nèi)存供電，這種供電系統(tǒng)能為內(nèi)存提供穩(wěn)定強勁的電壓，對于超頻大有益處。不少廠商將它作為高端產(chǎn)品的一大賣點。