硅與非硅集成電路的未來

CMOS的未來已經在產業界和學術界引起了極大的關注。CMOS有望在未來15年內繼續生存下去。大多數人會認為這是由于制造工藝實現了等比例縮小的緣故。但是問題的范圍要遠遠超出等比例縮小。研究結果表明，在室溫下，CMOS等比例縮小超越ITRS(國際半導體技術發展路線圖)后所遇到的理論上的最終極限，將是1．5nm的特征尺寸、0．017eV的開關能量以及0．04ps的開關速度。