寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)

根據(jù)半導(dǎo)體材料禁帶寬度的不同，可分為寬禁帶半導(dǎo)體材料與窄禁帶半導(dǎo)體材料。若禁帶寬度Eg<2ev(電子伏特)，則稱為窄禁帶半導(dǎo)體，如鍺(Ge)、硅(si)、砷化鎵(G9As)以及磷化銦(1nP)；若禁帶寬度Eg>2．0-6．0ev，則稱為寬禁帶半導(dǎo)體，如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、4H碳化硅(4H-SiC)、6H碳化硅(6H-SiC)、氮化鋁(A1N)以及氮化鎵鋁(ALGaN)等。寬禁帶半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、擊穿電場強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)以及良好的化學(xué)穩(wěn)定性等特點，非常適合于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件；而利用其特有的禁帶寬度，還可以制作藍(lán)、綠光和紫外光器件和光探測器件。因此，美國、日本、俄羅斯等國都極其重視寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的研究與開發(fā)。從目前寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件