2016年6期
刊物介紹
《電源學(xué)報(bào)》(原《電源技術(shù)學(xué)報(bào)》)，國內(nèi)統(tǒng)一連續(xù)出版物號(刊號)為：CN12-1420/TM，第一主辦單位是：中國電源學(xué)會。《電源學(xué)報(bào)》代表中國電源科技界的最高學(xué)術(shù)水平，是科技人員職稱晉級和學(xué)位評定的重要參考。
電源學(xué)報(bào)
- 模塊化多電平變流器（MMC）在電網(wǎng)故障下功率器件應(yīng)力分析
- 含有源功率解耦的單相H橋逆變器綜合可靠性評估
- IGBT模塊結(jié)溫估計(jì)方法及其溫度特性研究
- 基于電-熱耦合模型的IGBT模塊結(jié)溫計(jì)算方法
- 碳化硅MOSFET電熱耦合模型及分析
- 不同因素對IGBT溫敏參數(shù)dV/dt的影響
- 利用電容放電現(xiàn)場測量變流器IGBT模塊損耗
- 基于開關(guān)軌跡動態(tài)調(diào)整的變流器內(nèi)部熱管理
- 碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管短路特性
- 芯片封裝參數(shù)對功率模塊熱特性影響的研究
- SiC MOSFET靜態(tài)性能及參數(shù)溫度依賴性的實(shí)驗(yàn)分析及與Si IGBT的對比
- 氣溫波動對風(fēng)電變流器中功率器件壽命消耗的影響
- 開關(guān)電源中電解電容壽命預(yù)測分析
- 面向可靠性的Buck輸出側(cè)LC濾波器設(shè)計(jì)
- 電力電子系統(tǒng)可靠性模型綜述
- 功率MOSFET壽命模型綜述
- IGBT功率模塊加速老化方法綜述
- 基于載流子抽取模型的Trench Gate/Field-stop IGBT驅(qū)動器有源箝位功能分析
- 基于三相電流殘差的功率管多管開路故障診斷
- 基于鍵合線壓降的IGBT模塊內(nèi)部缺陷監(jiān)測研究
- 電源學(xué)報(bào)2016年1-6期總目次